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  • 深圳市华斯顿电子科技有限公司

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  • HN1C08F-B
  • 数量29756 
  • 厂家Toshiba 
  • 封装Sot-163 
  • 批号2023+ 
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  • QQ:364510898QQ:515102657
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    HN1C08F-B相关文章

配单直通车
HN1C26FS产品参数
型号:HN1C26FS
是否无铅: 不含铅
是否Rohs认证: 符合
生命周期:Lifetime Buy
IHS 制造商:TOSHIBA CORP
包装说明:SMALL OUTLINE, R-PDSO-F6
针数:6
Reach Compliance Code:unknown
ECCN代码:EAR99
HTS代码:8541.21.00.95
风险等级:5.52
最大集电极电流 (IC):0.1 A
集电极-发射极最大电压:50 V
配置:SEPARATE, 2 ELEMENTS
最小直流电流增益 (hFE):120
JESD-30 代码:R-PDSO-F6
元件数量:2
端子数量:6
最高工作温度:150 °C
封装主体材料:PLASTIC/EPOXY
封装形状:RECTANGULAR
封装形式:SMALL OUTLINE
峰值回流温度(摄氏度):NOT SPECIFIED
极性/信道类型:NPN
认证状态:Not Qualified
表面贴装:YES
端子形式:FLAT
端子位置:DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间:NOT SPECIFIED
晶体管应用:AMPLIFIER
晶体管元件材料:SILICON
标称过渡频率 (fT):60 MHz
Base Number Matches:1
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