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HN1D01FU产品参数
型号:HN1D01FU
是否无铅:含铅
是否Rohs认证:符合
生命周期:Active
IHS 制造商:TOSHIBA CORP
零件包装代码:SOD
包装说明:R-PDSO-G6
针数:6
Reach Compliance Code:unknown
ECCN代码:EAR99
HTS代码:8541.10.00.70
风险等级:5.37
Is Samacsys:N
应用:ULTRA FAST RECOVERY
配置:2 BANKS, COMMON ANODE, 2 ELEMENTS
二极管元件材料:SILICON
二极管类型:RECTIFIER DIODE
最大正向电压 (VF):1.2 V
JESD-30 代码:R-PDSO-G6
最大非重复峰值正向电流:2 A
元件数量:4
相数:1
端子数量:6
最高工作温度:125 °C
最大输出电流:0.1 A
封装主体材料:PLASTIC/EPOXY
封装形状:RECTANGULAR
封装形式:SMALL OUTLINE
峰值回流温度(摄氏度):NOT SPECIFIED
最大功率耗散:0.2 W
认证状态:Not Qualified
最大重复峰值反向电压:85 V
最大反向电流:0.5 µA
最大反向恢复时间:0.004 µs
反向测试电压:80 V
子类别:Other Diodes
表面贴装:YES
端子形式:GULL WING
端子位置:DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间:NOT SPECIFIED
Base Number Matches:1
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