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| 型号: | HS1-80C86RH-8 |
| 是否无铅： | 不含铅 |
| 是否Rohs认证： | 符合 |
| 生命周期： | Transferred |
| 零件包装代码： | DIP |
| 包装说明： | DIP, DIP40,.6 |
| 针数： | 40 |
| Reach Compliance Code： | compliant |
| ECCN代码： | 3A001.A.2.C |
| HTS代码： | 8542.31.00.01 |
| 风险等级： | 5.78 |
| 其他特性： | QUALIFIED TO MIL-38535-Q |
| 地址总线宽度： | 20 |
| 位大小： | 16 |
| 边界扫描： | NO |
| 最大时钟频率： | 5 MHz |
| 外部数据总线宽度： | 16 |
| 格式： | FIXED POINT |
| 集成缓存： | NO |
| JESD-30 代码： | R-CDIP-T40 |
| JESD-609代码： | e3 |
| 低功率模式： | YES |
| 端子数量： | 40 |
| 最高工作温度： | 125 °C |
| 最低工作温度： | -55 °C |
| 封装主体材料： | CERAMIC, METAL-SEALED COFIRED |
| 封装代码： | DIP |
| 封装等效代码： | DIP40,.6 |
| 封装形状： | RECTANGULAR |
| 封装形式： | IN-LINE |
| 峰值回流温度（摄氏度）： | NOT SPECIFIED |
| 电源： | 5 V |
| 认证状态： | Not Qualified |
| 筛选级别： | MIL-PRF-38535 Class Q |
| 座面最大高度： | 5.72 mm |
| 速度： | 5 MHz |
| 子类别： | Microprocessors |
| 最大压摆率： | 60 mA |
| 最大供电电压： | 5.5 V |
| 最小供电电压： | 4.5 V |
| 标称供电电压： | 5 V |
| 表面贴装： | NO |
| 技术： | CMOS |
| 温度等级： | MILITARY |
| 端子面层： | MATTE TIN |
| 端子形式： | THROUGH-HOLE |
| 端子节距： | 2.54 mm |
| 端子位置： | DUAL |
| 处于峰值回流温度下的最长时间： | NOT SPECIFIED |
| 总剂量： | 100k Rad(Si) V |
| 宽度： | 15.24 mm |
| uPs/uCs/外围集成电路类型： | MICROPROCESSOR |
| Base Number Matches： | 1 |
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