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| 型号: | HSCH-5512 |
| 是否Rohs认证： | 不符合 |
| 生命周期： | Transferred |
| IHS 制造商： | HEWLETT PACKARD CO |
| 包装说明： | R-XTMW-F3 |
| 针数： | 3 |
| Reach Compliance Code： | unknown |
| ECCN代码： | EAR99 |
| HTS代码： | 8541.10.00.60 |
| 风险等级： | 5.34 |
| Is Samacsys： | N |
| 其他特性： | HIGH RELIABILITY VERSION AVAILABLE |
| 配置： | SERIES CONNECTED, CENTER TAP, 2 ELEMENTS |
| 最大二极管电容： | 0.1 pF |
| 二极管元件材料： | SILICON |
| 二极管类型： | MIXER DIODE |
| 最大正向电压 (VF)： | 0.5 V |
| 频带： | K BAND |
| JESD-30 代码： | R-XTMW-F3 |
| JESD-609代码： | e0 |
| 元件数量： | 2 |
| 端子数量： | 3 |
| 最高工作温度： | 175 °C |
| 最低工作温度： | -65 °C |
| 封装主体材料： | UNSPECIFIED |
| 封装形状： | RECTANGULAR |
| 封装形式： | MICROWAVE |
| 脉冲输入最大功率： | 0.15 W |
| 脉冲输入功率最小值： | 1 W |
| 认证状态： | Not Qualified |
| 子类别： | Rectifier Diodes |
| 表面贴装： | YES |
| 技术： | SCHOTTKY |
| 端子面层： | Tin/Lead (Sn/Pb) |
| 端子形式： | FLAT |
| 端子位置： | TRIPLE |
| 肖特基势垒类型： | MEDIUM BARRIER |
| Base Number Matches： | 1 |
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