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内存闪存明年价格将反弹 今年第二季DRAM价格跌幅缩小

日期:2019-5-22标签: (来源:互联网)

由于价格不断下滑,NAND闪存及DRAM内存已经不再高不可攀,16GB内存现在也只要600多块,不如一年前单条8GB内存的价格,而SSD硬盘跌的就更厉害了,1TB容量的也只要700多块了,M.2版也没贵出多少。

内存闪存明年价格反弹 新一代存储芯片2020上市

内存闪存价格齐跌,但是这两种存储芯片也同样面临着制程微缩的难题,提升性能、降低成本之路也会越来越艰难,为此Intel、三星、美光等厂商也在寻求开发新一代存储芯片解决方案,比如3D XPoint、MRAM磁阻随机存取存储器、PRAM相变内存及RRAM可变电阻内存等。

上述新一代存储芯片优势很多,它们既是非易失性的,不像DRAM内存那样断电就不能保存数据,而且性能也要比NAND闪存快得多,简单来说就是模糊了RAM、ROM的界限,试想一下电脑重启之后原来打开的网页、播放的视频还在是多么神奇的一件事,新一代存储芯片就有这样的效果。

不过这些芯片理论上性能动辄是内存、闪存的10倍、100倍甚至1000倍,但是目前的问题在于不论MRAM还是PRAM,它们现在的容量都很小,而且制造工艺也非标准化的,所以取代内存闪存的过程是漫长的。

目前做的比较的好也就是Intel的Optane傲腾内存,傲腾DC可持续内存(Optane DC Persistent Memory)单条容量目前提供128GB、256GB、512GB,插槽兼容DDR4,最大功耗18W,频率最高等同于DDR4-2666,读取带宽最高6.8GB/s,写入带宽最高2.3GB/s。

集邦咨询半导体研究中心(DRAMeXchange)日前发表报告,称新一代存储器与现有解决方案各有优劣,最关键的机会点仍是在于价格。

由于新一代存储器尚未规模化与标准化,因此成本较高,所以厂商目前几乎都锁定在数据中心等特殊应用,尤其是超大规模数据中心拥有相对高程度的定制化设计,可以针对不同存储器规划新的配置。

此外,DRAMeXchange认为目前内存、闪存价格下滑,并不是新一代存储芯片进入市场的机会,他们预计明年内存、闪存价格就会止跌反弹,这个时候也是新一代存储芯片进入市场的好机会。

第二季半导体生产链库存去化近尾声,随着新款个人电脑、智能手机、消费性电子、物联网等应用需求逐步回稳及开始进入传统旺季,DRAM市场需求同步回升,而且在装置搭载容量提升情况下,第二季DRAM价格跌幅明显缩小,第三季价格跌幅将再降至10%以下,法人看好南亚科营运最坏情况已过。

第二季DRAM价格跌幅缩小 南亚科回神

第一季是DRAM市场传统淡季,加上市场供过于求导致合约价格大幅下跌近30%,南亚科第一季合并营收季减32.9%达113.72亿元(新台币,下同),归属母公司税后净利季减54.9%达35.86亿元,每股净利1.18元。第二季虽然逐步进入旺季,不过DRAM厂减少资本支出已看到效果,价格已明显缩小,预期价格季度跌幅可望降至15%左右,优于市场原本预期的再跌2成。

南亚科4月合并营收月增10.5%达41.11亿元,前4个月合并营收154.83亿元,较去年同期减少41.5%。由于英特尔中央处理器(CPU)缺货情况获得纾解,Android阵营智能手机重启拉货,更重要的是今年个人电脑及智能手机的DRAM平均搭载容量又较去年同期明显增加3~4成,而供给端因为DRAM厂大减资本支出已有效降低市场位元成长率,所以价格跌幅明显缩小。

第三季进入DRAM市场传统旺季,加上库存去化告一段落,DRAM价格跌幅可望再降至10%以下,但位元出货量会有明显成长空间。南亚科总经理李培瑛日前在法说会中指出,第三季进入传统旺季且库存已获调整情况下,销售量可望回升。以应用别来看,智能手机DRAM搭载容量持续增加,服务器及PC DRAM需求下半年将回温,利基型DRAM亦会因机上盒、固态硬盘(SSD)、安控产品等搭载量上升而成长。

法人预期,南亚科第二季DRAM位元出货量明显回升,与上季相较将由衰退转为成长,第三季位元出货量可望回升至10%以上。虽然DRAM价格仍逐季下跌,不过跌幅缩小后对营运冲击同步降低,南亚科营运最坏情况可说已经过去,下半年会逐步回稳并步入成长期,在20纳米制程带来的成长效应持续发酵下,法人预期今年获利表现不会太差。南亚科不评论法人预估财务数字。