供过于求导致内存芯片价格不断下滑下半年有待改善局面

导读：从用户端来看，消费者无一不钟爱持续走低的产品，尤其是芯片类产品，可能说到电子产品大家就会认为价格一定会随着时间的推移直线走低，但芯片类产品并非如此，其会受到市场影响，导致价格的上下波动。

集邦科技记忆体储存研究（DRAMeXchange）表示，今年第一季除了受到传统淡季因素影响外，智能手机及伺服器OEM厂从去年第四季便因需求疲弱而开始调节库存，进一步使得各项产品的位元出货量表现均呈现衰退，导致整体NAND Flash的合约价跌幅来到去年第一季以来最剧烈的一季。而第一季NAND Flash品牌厂营收季减约23.8％。

NAND Flash 和DRAM的价格将持续下滑 下半年有待改善局面

根据集邦资料，今年第一季eMMC/UFS（嵌入式储存）、Client SSD（消费性固态硬盘）、Enterprise SSD（企业用固态硬盘）合约价分别下跌15～20％、17～31％ 、及26～32％，而在TLC规格NAND晶圆产品合约价跌幅虽有收敛，但季度跌幅仍达19～28％。展望第二季表现，尽管包含智能手机、笔记型电脑、伺服器在内的主要需求都将有所回升，但仍不足以消弭库存压力，供应商在库存压力未除前，无法遏止合约价走跌态势。

客观来说，在未来内存闪存价格齐走低的形变量会越来越小，因为在制程微缩的难题下，提升性能、降低成本之路也会越来越艰难，为此Intel、三星、美光等厂商也在寻求开发新一代存储芯片解决方案，比如3D XPoint、MRAM磁阻随机存取存储器、PRAM相变内存及RRAM可变电阻内存等。

新一代存储芯片的优势很多，抛开那些晦涩难懂的技术术语，简单来说就是模糊了RAM、ROM的界限，你的使用场景在于比如你重启了电脑后发现后原来打开的网页、播放的视频还在是多么神奇的一件事。

受美中贸易战、英特尔中央处理器（CPU）缺货、供应链调整，及主要大厂持续消化库存等四大因素干扰，南亚科昨（30）日下修全球DRAM和公司内部今年位元成长预估，并认为本季市况不是很好，价格看跌。第3季能否止跌，「目前仍很难判断」。

南亚科表示，受到多重干扰的影响，全球DRAM位元年增幅由原估年增20%砍至15%，南亚科年增幅由原估15%降至仅个位数百分比。

南亚科董事长吴嘉昭表示，DRAM价格从去年第4季到今年第1季一路走跌，第2季价格还会再下跌，状况不是很好，希望第3季电子业旺季能好起来。

南亚科仍看好DRAM长期发展呈现稳健成长，主因DRAM是所有电子产品关键零组件，由人工智慧（AI）及第五代行动通讯（5G）快速发展，DRAM会是各项智慧化应用必备。

南亚科总经理李培瑛进一步指出，第1季DRAM报价受到传统淡季、原厂库存水位升高、英特尔处理器缺货等因素影响，合约价跌幅超乎预期，本季现货价虽然持续下跌，但南亚科的合约价跌幅并没有现货大，且市况已比第1季好转。

至于第3季价格能否止跌，目前仍难看清楚，主要关键在于美中贸易战变数、主要大厂消化库存，以及市场旺季备货需求强弱。

不过，根据集邦咨询半导体研究中心（DRAMeXchange）日前发表报告显示，内存和闪存的价格不会一直处于低位，毕竟新一代存储器尚未规模化与标准化，因此成本较高，以至于明年内存、闪存价格就会止跌反弹，所以如今可谓是囤货的最佳时机。