合肥长鑫已经重新设计了其DRAM芯片以尽量减少对美国原产技术的使用

导读：6月12日，日经新闻引述未具名消息人士报导，合肥长鑫已经重新设计了其DRAM芯片，以尽量减少对美国原产技术的使用。

据日经新闻亚洲评论报导，该消息人士表示，长鑫还无法完全消除威胁，其生产中依然会使用到美国的半导体设备(如AppliedMaterials、LamResearch及KLA-Tencor)和EDA工具(如Cadence和Synopsys)，但重新设计能够降低威胁，避免触及美国的知识产权。

长鑫睿力的研发工作已经有 1 年半的时间，在元件方面，自主开发了元件模组规格；在设计方面，设计了新的修补线路（E-Fuse），产生自有专利；在光罩方面，自主开发了光学邻近效应修正（OPC）；在制造方面，有 450 位平均 15 年 DRAM 工作经验的工程师做制程最佳化以快速提升良率，并自主开发最有效率的 IT 系统（大数据分析）；在测试方面，跟几家公司合作自主开发了测试程式（low cost RDBI wafer flow），帮助他们制造最廉价的测试设备，降低成本。

长鑫睿力自主开发的光学邻近效应修正（OPC）项目由公司 7 位资深工程师和 12 位 ASML 资深工程师，经过 3 个月的时间一起工作完成的。同时，长鑫睿力还自主研发了智能制造系统，能够实现良率、产能和质量的提升，目前有 70 多位员工服务于该系统。此外，长鑫睿力已经跟中科大签订协议，将与 15 位中科大学生一起合作，将智能制造系统做的更好。截止 2017 年底，长鑫睿力已申请 354 件专利，2018 年计划申请 1155 件，因此截止 2018 年底，预计申请专利总数将达 1509 件。

长鑫存储董事长兼CEO朱一明去年10月还曾前往欧洲，与欧洲最大的半导体设备供应商ASML商谈合作，并访问了比利时的IMEC，这是一家专注于纳米电子和数字技术的开创性研究机构。由此可见，长鑫正在寻求美国以外的供应商的支持。

据了解，长鑫在合肥投资80亿美元建造了一家晶圆厂，预计将于今年年底前投产。其中一位消息人士指出，长鑫最初每月将生产约10,000片晶圆，虽然需要经历某种学习曲线，但长鑫计划在今年年底之前获得一些产出。

不过，根据长鑫去年透露DRAM项目5年规划，该公司计划在2018年底量产8GbDDR4工程样品；2019年3季度量产8GbLPDDR4；2019年底实现产能2万片/月；2020年开始规划二厂建设；2021年完成17纳米技术研发。

市调机构CINNO分析师SeanYang指出，跟全球130万片DRAM硅晶圆的月产量相比，长鑫的产能仍然较小，但对于目前完全无法自制DRAM的中国大陆来说，却是一大突破。

根据集微网此前的报道，朱一明在上海举办的GSAMEMORY+峰会发表演讲时指出，长鑫的技术源自奇梦达，并结合了长鑫自己的技术。通过与奇梦达合作，将一千多万份有关DRAM的技术文件（约2.8TB数据）收归囊中，目前共有1万6千个专利申请。

奇梦达是从英飞凌拆分出来的知名DRAM大厂，但在2009年1月，奇梦达向法院申请破产保护。奇梦达慕尼黑研发中心和中国研发中心（位于西安高新区）是较大的两大研发中心。