相隔10个月 全球半导体存储器DRAM价格首次止跌回升

导读：最近内存市场（闪存也一样）出现了多种复杂因素，除了全球贸易这个大环境因素之外，还有内存不断跌价、日韩半导体材料纠纷等问题，原本预期Q3季度内存还会继续跌15%的价格，但上周内存现货价格出现了10个月来首次上涨。外界分析指出，受日本对韩限制出口影响，企业大幅增加订单，导致价格上涨。

据韩媒《etnews》报道，DRAMeXchange数据指出，以10日为基准，市面上最大宗的DDR4 8Gb（Gigabit）均价为3美元，和前一天相比上涨1.2％。

自去年9月14日同一产品较前一天微幅上涨0.2％至7.4美元后，DDR4 8Gb价格便一路走跌，时至近日才开始回升。另一方面，虽然旧款DDR3 4Gb需求较少，但从8至10日间，价格持续走扬。

业界分析，日本对韩限制半导体核心材料出口，才导致需求增加、价格上涨。韩国NH投资证券研究员都贤宇（音译）解释，虽然日本出口限制不会实际影响韩国生产半导体存储器，但产业的不安感刺激需求，为应对未来可能产生的影响，企业开始增加库存。

但也有分析认为，DRAM价格上涨与最近美国对华为态度软化、英特尔等计算机芯片需求者竞争加剧有关。

NAND闪存方面，日前日本东芝存储器工厂发生停电事故，外界普遍认为，出现能够消耗库存的机会，将慢慢恢复供需平衡，价格也有望随之上涨。业界相关人士认为，东芝存储器工厂大约能在10月完成恢复工作，这段期间有望消耗企业累积的库存，供应NAND闪存的第2大企业出现生产问题，是能提早耗尽库存的征兆。

三星、SK海力士、美光三家公司垄断了全球95%的内存产能，内存跌价已经让这三家公司的业绩大幅下滑，三星上季度盈利预计暴跌50%以上，他们显然不会坐视内存价格继续下跌，已经开始从产能上调节市场供应。

根据IC Insights的报告，2019年DRAM市场上的资本开支将会大幅减少，全年预计资本开支170亿美元，相比2018年降幅高达28%，去年内存市场资本开支高达240亿美元，相比2017年的160亿美元大涨了50%。

内存资本开支是厂商用于购买生产设备、生产材料等维持产能所需的投资，削减资本开支意味着产能会下降，导致市场上的内存供应会减少。

目前只有美光公司公布过具体的产能削减计划，其中内存削减产能5%，NAND闪存削减从原本计划的5%扩大到了10%，三星、SK海力士两家韩国公司没有公布过明确的产能削减投资，此前三星还在否认削减NAND闪存产能。

对于价格走势，IC Insights预计今年全球贸易不确定性因素依然存在，所以内存价格下半年依然会疲软，但是由于各大公司2019年资本开支大幅削减，有利于市场消化库存，2020年DRAM内存供需就会平衡。