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发布采购

闪存及内存市场连跌三季度但三星、美光、SK海力士三大厂商仍获利

日期:2019-7-30标签: (来源:互联网)

导读:目前全球95%的内存产能控制在三星、美光、SK海力士三大厂商中,尽管内存价格下跌导致他们的营收、盈利下滑,但是盖特纳表示这三家厂商在内存市场获利依然较高,目前没有减产的意图。

最近一段时间来,特别是6月份闹出东芝日本工厂断电停产、日本管制对韩出口三种重要原材料之后,闪存及内存市场的变数忽然增多了,内存连跌3个季度、闪存连跌6个季度之后纷纷开始了涨价炒作。

这两种存储芯片中,闪存涨价好歹比内存涨价有更强力的理由——目前的闪存芯片已经跌破成本价,但是先声而动的却是内存芯片,最近内存现货价大幅上涨,日本7月4日开始正式限制对韩国出货,接下来的一周内存现货价就涨了23%,这是时隔10个月内存价格首次反弹。

不过现货价并不能代表市场的主流,因为现货内存只占市场的10%,90%的内存看的是合约价,这方面内存厂商及下游客户的价格还在博弈中,Q3季度刚开始,双方尚未谈拢,下游市场的需求不涨,合约价涨不是那么容易的。

对于目前内存市场的价格走势,盖特纳分析师日前表示现货价上涨不会持续很长时间,几乎不会影响内存合约市场目前价格下跌的趋势,他们认为日本最终还是会给韩国出口许可,动荡期很快就会消失。

内存模组大厂威刚科技董事长陈立白今日表示,日韩贸易战可能蔓延至第二波对半导体设备的管制,使得半导体供应链短期问题难解,加上市场库存降低,带动内存价格反弹行情更为扎实,预计这波可延续涨到11月,公司也已备妥库存因应。

先前因东芝停电事件加上7月初,日本政府对韩国出口管制3项关键电子材料,带动NAND Flash及DRAM两大内存价格反弹。威刚科技董事长陈立白指出,日韩贸易战带动两大内存现货价格提前于6月底落底,自7月起至目前累积涨幅已约为20%,预期带动此波内存价格由小反弹变成中期的反弹格局,有机会逐步反弹至11月,累积弹幅可望达3~4成。

整体而言,今年DRAM及NAND Flash的现货价低点都已在6月出现,合约价也将于7月出现低点,8月将可望回升。

威刚科技董事长陈立白进一步分析,日本政府继本月初对韩国出口管制3项关键电子材料后,下一个对韩出口管制目标可能是半导体的制造设备,同时,须关注下周8月2日,韩国恐遭日本政府自贸易白色名单上除名,使得半导体供应链更为紧张。

另一方面,陈立白说,先前东芝停电事件冲击比想像更为严重,东芝近来产线未能恢复正常,一直在消化库存,使得NAND Flash本波涨势更为强劲,累积已涨二成多;观察DRAM在韩国的三星、海力士及美国的美光三大厂纷纷减产及延后扩产后,目前库存也已下降,现货价涨近二成,预期合约价将逐步跟上涨势。

威刚董事长陈立白认为,此次日韩贸易战对全球科技产业影响严重,公司已于7月在两大内存价格反弹前抢先布局货源,也呼吁客户应提前备妥库存。