台积电推出性能增强的7nm和5nm制造工艺

7月31日据供应链消息称，台湾的半导体制造公司台积电推出了两项专为需要快速运行以及更低耗电的客户设计的技术，N7P技术和N5P技术。据了解，N7P是7nm深紫外（N7/DUV）的增强版，而N5P则是5nm极紫外（N5/EUV）的增强版。

其N7P和N5P技术，专为那些需要运行更快、消耗更少电量的客户而设计。尽管N7P与N7的设计规则相同，但新工艺优化了前端（FEOL）和中端（MOL）制程，可在同等功率下将性能提升7%、或在同频下降低10%的功耗。

在日本举办的2019VLSI研讨会上，台积电透露了哪些客户已经可以用上新工艺，但该公司似乎并没有广而告之的想法。

N7P采用经过验证的深紫外（DUV）光刻技术，与N7相比，它没有增加晶体管的密度。

有些需要高出约18~20％晶体管密度的TSMC客户，预计需要使用台积电的N7+和N6工艺，后者使用极紫外（EUV）光刻技术进行多层处理。

尽管N7和N6都是未来几年的“长”节点，但台积电会在下一个N5节点带来显著的密度、功耗和性能改进。

N5之后也会迎来一个叫做N5P的增强版本，辅以FEOL和MOL优化，以便让芯片在相同功率下提升7%的性能、或在同频下降低15%的功耗。

据了解，此前台积电曾在日本举办的2019VLSI研讨会上透露了目前已被提供使用N7P和N5P这两项新工艺的客户名单，不过该客户名单并没有面向大众。后续或许会逐渐对外公布，大家可以期待一下。