韩国SK海力士开发出业界最高带宽的HBM2E DRAM产品

导读：8月12日消息，SK海力士公司宣布，它已开发出具有业界最高带宽的HBM2E DRAM产品。与之前的HBM2相比，新款HBM2E大约提升50％的带宽和100％的容量。SK海力士的HBM2E每个针脚传输速率为3.6Gbps，搭配1024-bit位宽的话可以提供超过460GB/s的超高带宽，无可比拟。

AMD Radeon VII显卡曾经率先实现1TB/s的显存带宽，但应用了4096-bit的位宽，如果换成HBM2E总带宽可以轻松超过1.8TB/s。

同时得益于TSV硅通孔技术，HBM2E内存可以最多垂直堆叠八颗16Gb芯片，单颗封装总容量因此可达16GB，是目前的两倍。

SK海力士表示，超高带宽的HBM2E可用于工业4.0、高端GPU显卡、超级计算机、机器学习、AI人工智能等各种尖端领域

而且不同于传统DRAM必须单独封装、占用主板面积，HBM系列可以与GPU芯片、逻辑芯片等整合封装在一起，彼此距离可以做到仅仅几个微米，大大节省整体面积，也能保证更快的数据传输。

哦对了，SK海力士是第一个搞定HBM的，时间是2013年。

SK海力士未透露HBM2E何时量产出货，看样子还要等一段时间。

GPU芯片左右两侧四颗芯片就是HBM

HBM2E基于每个Pin针3.6Gbps的速度性能以及1,024 数据的IOPs，所支持的带宽达每秒460GB。通过TSV技术，最多可以垂直堆叠8个16Gb的芯片，形成密度为16GB的单封装芯片。

HBM事业部负责人Jun-Hyun Chun表示，“自从2013年首款HBM发布以来，SK海力士就建立起了业内领先地位，SK海力士计划在2020年大规模量产HBM2E芯片，并继续加强在该领域的领先地位。”

韩国与日本的贸易摩擦使得全球的半导体存储变数不断增大，希望以海力士为首的韩系厂商能狗保证产能稳定全球的科技产业链，避免之前的恶意涨价现象再次出现。

SK海力士的HBM2E内存，其每个针脚传输速率为3.6Gbps，搭配1024-bit位宽，支持提供超过460GB/s的超高带宽，无可比拟。同时，通过利用TSV（硅通孔）技术，最多可垂直堆叠8个16千兆位芯片，形成16GB数据容量的单个密集封装。

SK海力士的HBM2E是第四个工业时代的最佳内存解决方案，支持需要最高内存性能的高端GPU，超级计算机，机器学习和人工智能系统等各种尖端领域。与采用模块封装形式并安装在系统板上的传统DRAM产品不同，HBM芯片可以与GPU和逻辑芯片等处理器紧密互连，间距仅为几微米，可实现更快的数据传输。

AMD目前最强的Radeon VII显卡用的就是16GB HBM2显存，拥有1TB/s带宽的带宽，可以给一些专业应用提供了便利，特别是高分辨率的4K、8K创作、渲染等工作；而NVIDIA CEO黄仁勋在采访中表示HBM2显存太贵，相比之下他还是更喜欢GDDR6显存。在NVIDIA的显卡中，面向专业市场的Tesla V100等高价显卡也使用了32GB HBM2显存，消费级的有Titan V显卡，使用了12GB HBM2显存，不过现在的图灵GPU使用的就是GDDR6显存了。目前，SK海力士尚未透露HBM2E内存可以量产出货。

三星电子在三月份也发布了自家的HBM2E内存，将传输速率从2.4Gbps提升到3.2Gbps，提升幅度达到33%。同时每芯片的容量提升了两倍，达到16GB。同样，尚未可知工作电压和量产时间。

目前，两大韩系NAND Flash厂商──三星及SK海力士已经公布了新NAND Flash产品的发展规划。其中，三星宣布推出136层堆叠的第6代V-NAND Flash，SK海力士则是宣布成功开发出128层堆叠的4D NAND Flash，并已经进入量产阶段。

不过，虽然两家厂商竞相推出NAND Flash的新产品，但是堆叠技术的发展至今仍未到达极限。所以，SK海力士日前在一场会议上就公布了公司的规划，预计在2030年推出800+层的NAND Flash，届时将可轻松打造出100到200TB容量的SSD。

在日前举行的“Flash Memory Summit”大会上，SK海力士公布旗下新产品的规划以及公司的相关布局。根据内容指出，目前SK海力士正在开发128层堆叠的4D NAND Flash，其量产时间将落在2019年第4季。

另外，SK海力士还展示了一款“PE8030”的全新SSD，采用PCIe 4.0×4介面连接，提供了800GB、1600GB、3200GB、6400GB容量，连续读写速度最高可达6200MB/s、3300MB/s，而4KB随机读写最高可达950K IOPS、260K IOPS。

在研发发展方面，目前SK海力士正在研发176层NAND Flash，而其他产品的发展，包括72层堆叠的4D NAND Flash目前在大规模量产中，96层堆叠的4D NAND Flash目前也在大规模量产中，而且未来产能即将超越72层堆叠的4D NAND Flash。

128层堆叠的4D NAND Flash将于2019年第4季量产，176层堆叠产品2020年问世、500层堆叠产品则将于2025年问世，其TB/wafer容量比将可提升30%。而800+堆叠的4D NAND Flash则是预计2030年问世，TB/wafer容量比提升到100到200TB的大小。

据了解，目前SK海力士生产的128层堆叠NAND Flash核心容量是1Tbit，176层堆叠的核心容量则是来到1.38Tbit，预计500层堆叠时核心容量可达3.9Tbit，到800层堆叠时则会高达6.25Tbit，是现在的6倍多。

若以当前SSD固态硬盘的容量计算，目前最大容量约在15到16TB左右。而依照6倍核心容量的成长幅度来计算，未来SSD容量可达200TB左右，这个容量要比当前的HDD还要更大。