美光新加坡扩建3D NAND闪存晶圆厂 但不增产 128层闪存有重大变化

导读：美光在新加坡扩建的3D NAND闪存晶圆厂昨(14)日正式完工启用。美光指出，这是因应5G、人工智能(AI)和自动驾驶等领域客户需求的策略，也是美光新加坡闪存制造重镇转型的重要布局。

新加坡是美光闪存生产重要据点，台湾和日本则是动态随机存取存储器(DRAM)生产重心 ，近几年美光扩大亚洲投资，日本持续推升DRAM先进制程，在台中兴建美光海外首座3D DRAM封装厂，且和台中、桃园DRAM厂建构成为美光的DRAM卓越中心。美光并承诺扩大台湾DRAM制造规模，相关计划已提交台湾地区中科管理局审核，希望政府协助解决土地、用水和用电等问题。

这座新厂是美光NAND卓越中心的一项，美光将充分利用在新加坡基础设施和技术专长的长期投资，透过扩建无尘室并转制程推进至3D NAND Flash 。

美光总裁暨执行长Sanjay Mehrotra昨天主持揭幕典礼，包括美光客户、供应商、经销商、学界领袖、社群合作伙伴、美光团队成员与在地政府官员共500多人共襄盛举，新加坡副总理暨财政部长王瑞杰也到场祝贺。

Sanjay Mehrotrad表示，美光NAND卓越中心的设计，拥有最先进的智能制造能力，为数个世代的3D NAND转型提供扩充规模。期待与新加坡的在地供应商、大学与政府单位持续合作、创新并迎向成功，他并感谢相关伙伴及单位，让美光的扩建计划成真。

美光强调，在新加坡兴建新厂，是3D NAND Flash技术进阶节点的技术转型，因应5G、AI和自动驾驶等领域的客户需求，同时也提升美光未来成长动能。

日前美光公司在新加坡举行了Fab 10A工厂启用庆典，包括美光CEO Sanjay Mehrotra在内的高层及合作伙伴、供应商、经销商等500多人参加了活动。

除了美国本土之外，美光公司在新加坡有编号Fab 10的NAND工厂，2016年又在新加坡成立了NAND卓越中心，又扩建了Fab 10晶圆厂的生产能力，新盖了无尘室等生产设施，提高了Fab 10晶圆厂的生产灵活性。

不过在目前NAND闪存价格持续下滑的情况下，美光虽然扩建了新加坡的Fab 10A工厂，但并不打算增产NAND，通过资本开支调整、技术转换等方式，Fab 10厂区的总产能不变。

美光CEO Sanjay Mehrotra还提到了美光NAND闪存路线图的变化，目前96层堆栈的3D闪存已经量产，而在第四代3D闪存上会有重大变化，128层堆栈闪存将会从此前的FG浮栅极技术转向RG替换栅极技术。

在2D闪存时代，各大厂商基本上都是以FG浮栅极技术为主，转向3D闪存之后三星率先使用了CTP电荷陷阱技术，其他厂商也陆续跟进，只有美光、Intel有所不同，双方在3D闪存技术发展上也产生了分歧，据说这就是两家公司在96层堆栈3D闪存之后决定分手、互相独立研发生产的关键，Intel会继续坚持浮栅极。

在美光之外，其他家闪存厂目前没有听说采用RG可替换栅极技术的。