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美光宣布量产第三代1Znm工艺的16Gb DDR4内存

时间:2019-8-20, 来源:互联网, 资讯类别:行业动态

日前美光公司宣布量产了1Znm工艺的16Gb DDR4内存,这是第三代10nm级内存工艺,这次量产也让美光成为业界第一个量产1Znm工艺的公司,这一次进度比以往的标杆三星公司还要快。首批到来的便是 16Gb DDR4/LPDDR4 DRAM 器件。随着时间的推移,该公司还将进一步扩大其产品组合。与第二代10nm工艺相比,新工艺使得美光能够提升 DRAM 芯片密度,在增强性能的同时、降低产品的功耗。

据介绍,与前一代1Y工艺相比,1z nm工艺的16Gb DDR4产品具有更高的比特密度,性能略有提高,成本也更低。与前几代8Gb DDR4 RAM解决方案相比,新节点还使功耗降低了40%。

鉴于美光未透露16Gb DDR4 DRAM的速度分档,我们只能预计其符合JEDEC的官方指定范围内。

预计首批16Gb DDR4 DRAM产品将用于台式机、笔记本、工作站上的高容量(32GB或更高)内存模组。

移动存储器方面,美光16Gb LPDDR4X芯片的传输速率可达4266MT/s 。

除了为高端智能机提供高达16GB(8x16Gb)的 LPDDR4X DRAM 封装,美光还将提供基于UFS的多芯片封装(uMCP4),将NAND用于存储和DRAM 。

该公司针对主流手机的 uMCP4 系列产品,将包括3GB RAM + 64GB ROM至8GB RAM+256GB ROM等产品。

最后,美光没有透露其生产1Z nm制程 16 Gb DDR4/LPDDR4X芯片的工厂。不出意外的话,应该会在日本广岛工厂内生产。

与此同时,分析师猜测该公司会在台中附近的 Micron Memory Taiwan(前 Rexchip Semiconductor)晶圆厂启用1Z nm 制程生产线。

美光在DRAM市场的主要竞争对手三星(Samsung)去年春季宣布,将在今年下半年开始生产1z nm 8Gb DDR4模块,为下一代DDR5、LPDDR5和GDDR6内存产品的推出做准备。


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