美光一方面加大对台积电的投资一方面又量产第三代10nm级内存

导读：美光是全球第三大DRAM厂，位于韩国三星、SK海力士之后。据台湾“联合报”25日报道将在台湾加码投资，要在现有厂区旁兴建2座晶圆厂，总投资额达4000亿元新台币（约合人民币903亿元），以下代最新制程生产DRAM。报道称，时值DRAM仍供过于求，美光大手笔投资，震撼业界。日前美光公司宣布量产了1Znm工艺的16Gb DDR4内存，这是第第三代10nm级内存工艺，这次量产也让美光成为业界第一个量产1Znm工艺的公司，这一次进度比以往的标杆三星公司还要快。

据悉，这是美光继在台中投资先进内存后段封测厂后，又一次大手笔投资台湾。中科管理局称，美光此次投资案，是台湾第二大半导体投资案（仅次于台积电中科与南科扩建案），若以外商来看，则是最大投资案。

据报道，美光此次4000亿新台币扩建案，规划在目前中科厂旁，兴建A3及A5二座晶圆厂。其中，A3厂预定明年8月完工，并陆续装机，明年第4季导入最新的1z制程试产，借此缩小与三星的差距；第二期A5厂将视市场需求，逐步扩增产能，规划设计月产能6万片。

美光台湾分公司证实在台中扩建A3厂，且已进入兴建工程。美光台湾强调，A3厂房是以扩建无尘室为主，将加入既有的桃园前段晶圆厂，以及台中后里前段晶圆厂的前段晶圆制造生产线， 进一步扩充美光在台设立的DRAM卓越中心的设备更新、技术升级。

美光是全球第三大DRAM厂，位于韩国三星、SK海力士之后。目前全球DRAM市场仍供过于求，价格跌势延续，三星、SK海力士均为暂缓扩产，加上先前日韩贸易战一度使得韩国DRAM生产恐受影响，市场原看好DRAM价格形势可望反转向上，如今美光大手笔投资，引发高度关注。

据了解，美光此次大手笔投资，主要看好进入5G时代之后，快速驱动人工智能（AI）、物联网和无人驾驶等应用发展，带动DRAM需求强劲，提早卡位相关商机，并优先扩建需导入更先进设备的无尘室，以让台湾厂区制程正式推进到最先进的1z时代。

业界分析，以一座晶圆厂运作人数约需1000人计算，美光此次投资，势必要大举招募相关制程和技术人才，美光同步在新加坡和台湾进行3D NAND Flash和DRAM制程推进和产能扩张，扩大全球占有率企图明显。

在内存工艺进入20nm之后，由于制造难度越来越高，内存芯片公司对工艺的定义已经不是具体的线宽，而是分成了1X、1Y、1Z，大体来说1Xnm工艺相当于16-19nm级别、1Ynm相当于14-16nm，1Znm工艺相当于12-14nm级别。

根据美光之前公布的路线图，实际上1Znm之后还会有1αnm、1βnm、1γnm，这样一来10nm级别就有六种制造工艺了，现在正好演进到到了第三代。

美光表示，与上一代1Ynm制程相比，1Znm 16Gb DDR4内存芯片可以提供更高的密度、更高的性能及更低成本，不过美光并没有给出具体的数据，性能提升多少、成本降低多少尚无确切数据，唯一比较确切的就是说1Znm 16Gb DDR4内存相比前几代8Gb DDR4降低了大约40%的功耗，但这个比较也太过宽泛。

此外，美光还宣布批量出货基于UFS多芯片封装uMCP的、业界容量最高的16Gb LPDDR4X内存，满足了业界对低功耗及更小封装的的要求。