美光使用1z纳米制程技术量产16Gb DDR4

美光科技（Micron）宣布了DRAM扩充的进展，成为首家开始使用1z纳米制程技术量产16Gb DDR4产品的存储器公司。

美光科技技术开发执行副总裁Scott DeBoer表示，现今扩充DRAM条件变得更加复杂，开发和量产业界最小尺寸的DRAM节点展现了美光世界级的工程和制造能力。率先进入市场让美光拥有竞争优势，我们将继续为广泛的终端客户应用提供高价值解决方案。

与上一代1y纳米节点相比，美光的1z纳米16Gb DDR4产品显著提高位元密度、大幅增进效能并降低成本。同时，它也促进美光持续改善其运算DRAM（DDR4）、行动DRAM（LPDDR4）和图形DRAM（GDDR6）产品系列的相对效能和功耗。对于包括人工智慧、自动驾驶车辆、5G、行动装置、图形、游戏、网路基础设施和服务器等应用而言，功率和效能之间的优化平衡是关键的差异化因素。

美光透过量产16Gb DDR4存储器解决方案，开始将技术移转至1z纳米。使用更小的节点进行生产带来多项优势，包括功耗较上一代8Gb DDR4产品降低约40％。美光全面的1z纳米DDR4产品组合也满足资料中心对更高效能、更高容量和更低功耗，日益增长的需求。

此外，美光也宣布公司已开始批量出货基于UFS规范多芯片封装（uMCP4）的业界最高容量单片16Gb低功率双倍资料速率4X （LPDDR4X）DRAM。美光的1z纳米LPDDR4X和uMCP4满足了移动设备制造商寻求更低功率和更小封装，以设计具有吸引人的规格尺寸和长电池寿命的装置需求。