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意法半导体收购氮化镓创新企业Exagan的多数股权

时间:2020-3-7, 来源:互联网, 资讯类别:行业统计

中国,2020年3月6日——横跨多重电子应用领域的全球领先的半导体供应商意法半导体(STMicroelectronics,简称ST; 纽约证券交易所代码:STM) 宣布,已经签署收购法国氮化镓(GaN)创新企业Exagan公司的多数股权的并购协议。Exagan的外延工艺、产品开发和应用经验将拓宽并推进意BAV70T法半导体的汽车、工业和消费用功率GaN的开发规划和业务。Exagan将继续执行现有产品开发规划,意法半导体将为其部署产品提供支持。

双方的交易条款没有对外公布,等法国政府按照惯例成交法规批准后即可完成交易。现已签署的并购协议还规定,在多数股权收购交易完成24个月后,意法半导体有权收购剩余的Exagan少数股权。本交易将采用可用现金支付。

意法半导体公司总裁兼首席执行官Jean-Marc Chery表示:“意法半导体的碳化硅发展势头强劲,现在我们正在扩大对另一种前景很好的复合材料--氮化镓的投入,以促进汽车、工业和消费市场客户采用GaN功率产品。收购Exagan的多数股权是我们加强公司在全球功率半导体市场的领先地位以及我们的GaN长远规划、生态系统和业务的又一项新举措,是对我们目前与CEA-Leti在法国图尔的开发项目以及最近宣布的与台积电的合作项目的补充。”

氮化镓(GaN)属于宽带隙(WBG)材料家族,其中包括碳化硅。GaN基器件是高频电力电子器件行业取得的一大进步,其能效和功率密度高于硅基晶体管, GaN基器件节能省电,缩减系统整体尺寸。GaN器件适合各种应用,例如,服务器、电信和工业用功率因数校正和DC/DC转换器;电动汽车车载充电器和车规DC-DC转换器,以及电源适配器等个人电子应用。

Exagan成立于2014年,总部位于法国格勒诺布尔。该公司致力于推进电力电子行业从硅基技术向GaN-on-silicon技术转变,研发体积更小、能效更高的功率转换器。Exagan的GaN功率开关是为标准200毫米晶圆设计。

前瞻性陈述风险提示

1995年私人证券诉讼改革法案安全港声明:上文所述的任何非历史事实的陈述均为前瞻性陈述,包括有关我们未来经营业绩和财务状况、商业策略、未来经营计划和目标的任何陈述,涉及可能导致实际结果与前瞻性陈述之间出现重大差异的风险和不确定性因素。这些陈述仅是预测,反映了我们在当前对未来事件的看法和预测,并且是以假设为前提,受风险和不确定性因素的影响,随时可能发生变化。潜在风险和不确定性因素包括但不限于以下因素:交易未完成的可能性,包括任何先决条件导致的交易失败;可能无法实现收购预期收益的风险;收购后难以留住Exagan员工;设施扩建、制造工艺和专门知识转让困难;迫使管理层无法集中精力管理企业的风险;以及我们会不时在提交给美国证交会的文件中详细说明的与我们的行业和业务相关的竞争影响和其它风险因素。


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