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台积公司的22纳米超低功耗 (ULP) 与超低漏电 (Ultra Low Leakage，ULL) 技术提供优化且简化的迁移路径，衔接台积公司28HPC+制程。此外，SoC芯片设计团队还能一次跨越多个制程，包括从40纳米或55纳米制程直接跨入到这两种台积公司22纳米制程。

　　2018年5月，Arm 宣布与台积公司携手，开发22纳米ULP与ULL平台，其中包括晶圆厂支持开发的内存编译器。此外，对这些编译器形成补充的还包括配有电源管理套件的超高密度与高性能的标准单元库(standard cell libraries)，以及用于优化漏电功率的厚栅氧化单元(Thick Gate-Oxide Library)。再加上General Purpose I/O (GPIO)通用I/O解决方案，为用户构建了一个完整的基础IP方案。

　　联咏科技迅速地发挥了这项全新技术机会的优势，运用台积公司22纳米ULP制程的POP IP，获得顶尖功耗、性能以及面积(PPA)组合的Arm CPU内核，并制程生产出首款采用22纳米技术的4K 数字电视SoC。

　　联咏科技SOC事业群总经理张忠恒(J. H. Chang)表示：“多年来，与Arm的合作伙伴关系使我们能够将真正创新的SoC带入日益增长且竞争激烈的4K电视市场。Arm完整的实施解决方案推动了围绕Arm CPU内核打造顶尖的PPA组合。通过开发定制化内存实例与参考流程方法，并配合我们采用的电子设计自动化(EDA)设计流程，Arm的POP IP让我们以最快的速度将产品推向市场。”