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IRF4905STRLPBF

时间:2019-6-12,阅读:57,发布企业:西旗科技(深圳)有限公司, 资讯类别:会员资讯
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摘要:IRF4905STRLPBF





产品描述:IRF4905STRLPBF

采用D2-Pak封装的55V单P沟道HEXFET功率MOSFET


产品优点:IRF4905STRLPBF

•符合RoHS标准

•低RDS(开启)

•行业领先的质量

•动态dv / dt评级

•快速切换

•完全雪崩额定值

•175°C工作温度

•P沟道MOSFET

制造商

Infineon Technologies

制造商零件编号

IRF4905STRLPBF

描述

MOSFET P-CH 55V 42A D2PAK

对无铅要求的达标情况/对限制有害物质指令(RoHS)规范的达标情况无铅/符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
湿气敏感性等级 (MSL)1(无限)
原厂标准交货期10 周
详细描述表面贴装-P-沟道-pval-2068-42A(Tc)-170W(Tc)-D2PAK
一般信息
数据列表IRF4905(S,L)PbF;
标准包装  800
包装  标准卷带
零件状态在售
类别分立半导体产品
产品族晶体管 - FET,MOSFET - 单
系列HEXFET®

规格
FET 类型P 沟道
技术MOSFET(金属氧化物)
漏源电压(Vdss)55V
电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时)42A(Tc)
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On)10V
不同 Id,Vgs 时的 Rds On(最大值)20 毫欧 @ 42A,10V
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值)4V @ 250μA
不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)(最大值)180nC @ 10V
Vgs(最大值)±20V
不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值)3500pF @ 25V
FET 功能-
功率耗散(最大值)170W(Tc)
工作温度-55°C ~ 150°C(TJ)
安装类型表面贴装
供应商器件封装D2PAK
封装/外壳TO-263-3,D2Pak(2 引线 + 接片),TO-263AB


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