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长鑫存储董事长兼CEO朱一明去年10月还曾前往欧洲,与欧洲最大的半导体设备供应商ASML商谈合作,并访问了比利时的IMEC,这是一家专注于纳米电子和数字技术的开创性研究机构。由此可见,长鑫正在寻求美国以外的供应商的支持。
据了解,长鑫在合肥投资80亿美元建造了一家晶圆厂,预计将于今年年底前投产。其中一位消息人士指出,长鑫最初每月将生产约10,000片晶圆,虽然需要经历某种学习曲线,但长鑫计划在今年年底之前获得一些产出。
不过,根据长鑫去年透露DRAM项目5年规划,该公司计划在2018年底量产8GbDDR4工程样品;2019年3季度量产8GbLPDDR4;2019年底实现产能2万片/月;2020年开始规划二厂建设;2021年完成17纳米技术研发。
市调机构CINNO分析师SeanYang指出,跟全球130万片DRAM硅晶圆的月产量相比,长鑫的产能仍然较小,但对于目前完全无法自制DRAM的中国大陆来说,却是一大突破。
根据集微网此前的报道,朱一明在上海举办的GSAMEMORY+峰会发表演讲时指出,长鑫的技术源自奇梦达,并结合了长鑫自己的技术。通过与奇梦达合作,将一千多万份有关DRAM的技术文件(约2.8TB数据)收归囊中,目前共有1万6千个专利申请。
奇梦达是从英飞凌拆分出来的知名DRAM大厂,但在2009年1月,奇梦达向法院申请破产保护。奇梦达慕尼黑研发中心和中国研发中心(位于西安高新区)是较大的两大研发中心。