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MOS管NDT2955优势现货库存 只做原装

时间:2019-6-15,阅读:95,发布企业:深圳市恒驰远创科技有限公司, 资讯类别:会员资讯
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摘要:NDT2955 ON 18+ SOT223

规格

FET 类型 P 沟道 技术 MOSFET(金属氧化物) 漏源电压(Vdss) 60V 电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 2.5A(Ta) 驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On) 4.5V,10V 不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) 4V @ 250μA 不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)(最大值) 15nC @ 10V Vgs(最大值) ±20V 不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) 601pF @ 30V FET 功能 - 功率耗散(最大值) 3W(Ta) 不同 Id,Vgs 时的 Rds On(最大值) 300 毫欧 @ 2.5A,10V 工作温度 -55°C ~ 150°C(TJ) 安装类型 表面贴装 供应商器件封装 SOT-223-4

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