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SQJ463EP-T1-GE3

时间:2019-7-11,阅读:42,发布企业:深圳市科雨电子有限公司, 资讯类别:会员资讯
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摘要:SQJ463EP-T1-GE3

SQJ463EP-T1-GE3

造商: Vishay

產品類型: MOSFET

RoHS:  詳細資料  

技術: Si

安裝風格: SMD/SMT

封裝/外殼: PowerPAK-SO-8L-4

通道數: 1 Channel

晶體管極性: P-Channel

Vds - 漏-源擊穿電壓: 40 V

Id - C連續漏極電流: 30 A

Rds On - 漏-源電阻: 8 mOhms

Vgs th - 門源門限電壓 : 2.5 V

Vgs - 閘極-源極電壓: 20 V

Qg - 閘極充電: 150 nC

最低工作溫度: - 55 C

最高工作溫度: + 175 C

Pd - 功率消耗 : 83 W

配置: Single

通道模式: Enhancement

資格: AEC-Q101

公司名稱: TrenchFET

封裝: Cut Tape

封裝: MouseReel

封裝: Reel

系列: SQ  

晶體管類型: 1 P-Channel  

品牌: Vishay / Siliconix  

互導 - 最小值: 45 S  

下降時間: 51 ns  

產品類型: MOSFET  

上升時間: 17 ns  

原廠包裝數量: 3000  

子類別: MOSFETs  

標準斷開延遲時間: 121 ns  

標準開啟延遲時間: 21 ns  


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