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供应静态随机存储器N02L63W2AB25I

时间:2019-7-12,阅读:247,发布企业:深圳市旺财半导体有限公司, 资讯类别:会员资讯
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摘要:供应静态随机存储器N02L63W2AB25I

静态随机存储器N02L63W2AB25I2Mb超低功耗异步CMOS SRAM 128Kx16位

静态随机存储器N02L63W2AB25I是一个集成内存设备,包含一个2 Mbit的静态随机访问内存,按16位排列为131,072个单词。该设备采用半导体公司先进的CMOS技术设计和制造,提供高速性能和超低功耗。基本设计与半导体公司的静态随机存储器N02L63W2AB25I相同,其处理工作在更高的电压。该设备采用单芯片启用(CE)控制和输出启用(OE),便于内存扩展。字节控件(UB和LB)允许独立地访问上字节和下字节。静态随机存储器N02L63W2AB25I是各种低功耗应用的最佳选择,如电池备份和手持设备。该设备可以在-40℃到+85℃的非常宽的温度范围内工作,并且可以在与其他标准128Kb x 16 SRAMs兼容的JEDEC标准包中使用。

功能•单电源范围宽1.65到2.2伏•非常低的待机电流0.5µa 1.8 v(典型的)•非常低的操作电流1.4 ma在1.8 v和1µs(典型的)马•页面模式操作电流非常低0.5在1.8 v和1µs(典型的)•简单内存控制单片机为独立启用(CE)字节控制字节操作允许输出(OE)内存扩展•低压数据保留Vcc = 1.2 v•很快允许输出访问时间30 ns OE访问时间•自动断电待机模式•兼容TTL三态输出驱动程序•节省空间紧凑的BGA包

N02L63W2A

绝对最大Ratings1

1. 应力大于上述列出的应力可能会对设备造成永久性损坏。这只是一个应力等级,在这些或任何高于本规范操作部分中所述的其他条件的情况下,设备的功能运行不包括在内。长时间暴露在绝对最大额定值条件下可能会影响可靠性。

静态随机存储器N02L63W2AB25I项目符号评级单位电压在任何销相对于VSS VIN, VCC -0.3 + 0.3 V电压VCC供应相对于VSS VCC -0.3到4.5 V功耗PD 500 mW储存温度测试-40到125 oC操作温度TA -40 + 85 oC焊接温度和时间TSOLDER 260 oC, 10秒oC

操作特性(超过指定温度范围

1. 典型值在Vcc=Vcc Typ处测量。, TA=25℃,未100%测试。

马克斯单元电源电压VCC 2.3 3.0 3.6 V电压VDR芯片Disabled3数据保留1.8 - 3.6 V输入高压VIH 1.8 + 0.3 V电源电压输入维尔-0.3 - 0.6 V低电压输出高压VOH IOH = 0.2 ma VCC - 0.2 V低电压输出人工卷= -0.2 ma 0.2 V输入泄漏电流伊犁VIN = 0至0.5 VCCµA泄漏电流输出ILO OE = VIH或芯片禁用0.5µA读/写操作电源电流@ 1 Time2µs周期静态随机存储器N02L63W2AB25I

2. 指定此参数时禁用输出,以避免外部加载效果。用户必须添加驱动实际系统中预期输出电容所需的电流。

ICC1VCC=3.6 V, VIN=VIH或启用VIL芯片,IOUT = 0 2.0 4.0 mA



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