IKW15T120

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IKW15T120

制造商: Infineon

产品种类: IGBT 晶体管

RoHS:  详细信息  

技术: Si

封装 / 箱体: TO-247-3

安装风格: Through Hole

配置: Single

集电极—发射极最大电压 VCEO: 1200 V

集电极—射极饱和电压: 1.7 V

栅极/发射极最大电压: 20 V

在25 C的连续集电极电流: 30 A

Pd-功率耗散: 110 W

最小工作温度: - 40 C

最大工作温度: + 150 C

系列: TRENCHSTOP IGBT

封装: Tube

高度: 20.9 mm  

长度: 15.9 mm  

宽度: 5.3 mm  

商标: Infineon Technologies  

栅极—射极漏泄电流: 100 nA  

产品类型: IGBT Transistors  

工厂包装数量: 240  

子类别: IGBTs  

商标名: TRENCHSTOP  

零件号别名: IKW15T120FKSA1 IKW15T12XK SP000013938  

单位重量: 38 g