MT28EW256ABA1LPC-0SIT
发布日期：2019-09-11MT28EW256ABA1LPC-0SIT
一般信息
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规格
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该器件是异步，均匀块，并行NOR闪存器件。READ，ERASE和PROGRAM操作使用单个低压电源执行。上电时，设备默认为读取阵列模式。主存储器阵列被分成可以独立擦除的统一块，以便在清除旧数据时保留有效数据。PROGRAM和ERASE命令被写入存储器的命令接口。片上编程/擦除控制器通过处理更新存储器内容所需的所有特殊操作来简化编程或擦除存储器的过程。可以检测到PROGRAM或ERASE操作的结束，并且可以识别任何错误情况。控制设备所需的命令集符合JEDEC标准。CE＃，OE＃，WE＃控制器件的总线操作，并实现与大多数微处理器的简单连接，通常无需额外的逻辑。该器件支持从阵列的所有块进行异步随机读取和页面读取。它还具有内部程序缓冲区，可通过一个命令序列编程512个字来提高吞吐量。128字扩展内存块与数组块0的地址重叠。用户可以对此附加空间进行编程，然后对其进行保护以永久保护内容。该器件还具有不同级别的硬件和软件保护，可防止不必要的修改。它还具有内部程序缓冲区，可通过一个命令序列编程512个字来提高吞吐量。128字扩展内存块与数组块0的地址重叠。用户可以对此附加空间进行编程，然后对其进行保护以永久保护内容。该器件还具有不同级别的硬件和软件保护，可防止不必要的修改。它还具有内部程序缓冲区，可通过一个命令序列编程512个字来提高吞吐量。128字扩展内存块与数组块0的地址重叠。用户可以对此附加空间进行编程，然后对其进行保护以永久保护内容。该器件还具有不同级别的硬件和软件保护，可防止不必要的修改。
主要特点
单级单元（SLC）处理技术
密度：1Gb
电源电压
VCC = 2.7-3.6V（编程，擦除，读取）
VCCQ = 1.65 - VCC（I / O缓冲器）
异步随机/页面读取
页面大小：16个字或32个字节
页面访问：20ns（VCC = VCCQ = 2.7-3.6V）
随机访问：105ns（VCC = VCCQ = 2.7-3.6V）
随机访问：110ns（VCCQ = 1.65-VCC）
缓冲程序（512字程序缓冲区）
使用完整缓冲程序时，2.0 MB / s（TYP）
使用加速缓冲程序（VHH）时为2.5 MB / s（TYP）
字/字节程序：每个字25us（TYP）
块擦除（128KB）：0.2s（TYP）
记忆组织
统一块：每个128KB或64KW
x8 / x16数据总线
编程/擦除暂停和恢复功能
在PROGRAM SUSPEND操作期间从另一个块读取
在ERASE SUSPEND操作期间读取或编程另一个块
解锁旁路，块擦除，芯片擦除和写入缓冲器功能
BLANK CHECK操作以验证已擦除的块
CYCLIC REDUNDANCY CHECK（CRC）操作以验证程序模式
VPP / WP＃保护
无论块保护设置如何，都保护第一个或最后一个块
软件保护
挥发性保护
非易失性保护
密码保护
扩展内存块
128字（256字节）块，用于永久，安全识别
在工厂或客户编程或锁定
JESD47-兼容
每块100,000次（最小）ERASE循环
数据保留期：20年（TYP）
包
56引脚TSOP，14 x 20mm（JS）
64球LBGA，11 x 13mm（PC）
符合RoHS标准，无卤素包装
汽车工作温度
环境温度：-40°C至+ 105°C
| MT40A256M16GE-075E:B | Micron |
| MT40A1G8SA-075:E | Micron |
| MT40A512M16LY-075:E | Micron |
| MT40A256M16GE-083E IT:B | Micron |
| MT40A512M16JY-083E:B | Micron |
| MT40A256M16GE-062E:B | Micron |
| MT40A512M16JY-083E IT:B | Micron |
| MT40A1G16WBU-083E:B | Micron |
| MT40A1G8WE-083E IT:B | Micron |
| MT40A2G4WE-075E:B | Micron |
| MT40A256M16GE-083E:B | Micron |
| MT48LC16M16A2P-6A IT:G | Micron |
| MT48LC16M16A2P-6A:G | Micron |
| MT48LC16M16A2P-7E:G | Micron |
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| MT48LC8M16A2P-6A IT:L | Micron |
| MT48LC4M32B2P-6A IT:L | Micron |
| MT48LC16M16A2P-7E IT:G | Micron |
| MT48LC8M16A2P-6A:L | Micron |
| MT48LC8M16A2P-6A AIT:L | Micron |
| MT48LC2M32B2B5-6A IT:J | Micron |
| MT48LC2M32B2P-6A IT:J | Micron |
| MT48LC4M16A2P-7E IT:J | Micron |
| MT48LC2M32B2P-6A:J | Micron |
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| MT48LC4M16A2P-6A:J | Micron |
| MT7DPQV2G-A1S | Micron |
| MT7DPWQAAAAC-A1 | Micron |
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| MT7DPVG2F-A1S | Micron |
| MT29F1G08ABBDAH4-IT:D | Micron |
| MT29F32G08CBADAWP-M:D | Micron |
| MT29F2G16ABAEAWP:E | Micron |
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| MT29F128G08CFABBWP | Micron |
| MT29F64G08CBABAWP-M:B | Micron |
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| MT29F8G08ABACAWP:C | Micron |
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| NAND512R3A2SZA6E | Micron |
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| MT29F1G08ABAEAWP:E | Micron |
| MT29F4G08ABADAWP-IT:D | Micron |
| MT29F4G08ABADAWP:D | Micron |
| MT29F256G08CEECBH6-12:C | Micron |
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| MT29F1G16ABBEAH4-IT:E | Micron |
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| MT25QL128ABA8E12-0SIT | Micron |
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| MT25QL256ABA1EW7-0SIT | Micron |
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| MT25QU128ABA1EW7-0SIT | Micron |
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| MT28EW256ABA1LPC-0SIT | Micron |
| MT28EW128ABA1LPC-0SIT | Micron |
| MT25QL256ABA1EW9-0SIT | Micron |
| MT25QL128ABA1EW9-0SIT | Micron |
| MT25QL256ABA8ESF-0SIT | Micron |
| MT25QL128ABA1ESE-0SIT | Micron |
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