DSE12X61-12B IGBT模块

这些器件采用我们专有的XPT™薄晶圆技术和最先进的第4代（GenX4™）沟槽IGBT流程研发，具有低热阻、低能量损耗、快速切换、低尾电流和高电流密度等特点。 此外，它们在短路条件下表现出绝佳的强度——10μs短路安全工作区(SCSOA)。

这些IGBT具有击穿电压高达650V的方形反向偏压安全工作区(RBSOA)，使其成为无缓冲硬开关应用的理想选择。 其他特点包括正集电极发射极电压温度系数，这让设计人员可并联多个器件以满足高电流要求，低栅极电荷则有助于降低栅极驱动要求并减少开关损耗。

功能与特色:

• 低Vsat，低Eon/Eoff，高浪涌电流能力

• 960V下的方形反向偏压安全工作区（RBSOA）

• 正热系数VCE(sat)

应用:

• 电池充电器

• 灯镇流器

• 电机驱动器

• 电源逆变器

• 焊接机械

优点:

• 硬开关功能

• 高功率密度

• 二极管正向电压的温度稳定性VF

• 较低的栅极驱动要求

IXYS的
总部位于加利福尼亚州米尔皮塔斯和荷兰莱顿，是全球领先的功率半导体制造商，在全球享有盛誉。其专用功率半导体，集成电路和射频功率的多元化产品基础已被全球2500多家客户所采用，涉及工业，运输，电信，计算机，医疗，消费和清洁技术市场。了解有关IXYS 30年历史，创始人Nathan Zommer博士，其部门和当前增长的更多信息。

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