X28C256KM-20 **显易科技优势供应元器件，张小姐：01051986955

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与现在的Si功率半导体相比，SiC及GaN等新一代功率半导体有望利用逆变器和变流器等大幅提高效率并减小尺寸。2013年采用SiC功率元件和GaN功率元件的事例逐渐增加，同时各企业也围绕这些元件展开了激烈的开发竞争。

SiC功率半导体方面，在栅极设有沟道的沟道型MOSFET的开发在2013年大幅加速。以前推出的SiC MOSFET只有平面型，尚未推出沟道型。沟道型MOSFET的导通电阻只有平面型的几分之一，因此可以进一步降低损耗。导通电阻降低后，采用比平面型更小的芯片面积即可获得相同载流量。也就是说，能够削减成本。

由于沟道型MOSFET具有以上特点，日本各半导体厂商将其视作“可充分发挥SiC优势的晶体管第一候选”，正式开始进行研究开发。这一动向在2013年9月29日～10月4日举行的SiC相关国际学会“ICSCRM 2013”上得到了充分体现。在此次会议上，各企业纷纷发表了沟道型SiC MOSFET的最新开发成果。比如罗姆、住友电气工业及三菱电机等。其中，罗姆在实用化方面似乎走在前列。该公司将在2014年上半年推出栅极和源极都设有沟道的“双沟道型”SiC MOSFET。

SiC备受汽车行业的期待。比如，电装正在自主研发SiC基板和功率元件。当然，该公司也在开发沟道型MOSFET，并宣布将于2015年推出产品。

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