IPP015N04N
日期：2014-5-29IPP015N04N一级代理原装进口现货热卖！联系电话：0755-82789296/15013563196朱先生
数据列表 IPB,IPP015N04N G 产品相片 TO-220-3 标准包装 
500 类别 分立半导体产品 家庭 FET - 单 系列 OptiMOS™ 包装 管件 FET 类型 MOSFET N 通道，金属氧化物 FET 功能 标准 漏源极电压 (Vdss) 40V 电流 - 连续漏极 (Id)（25°C 时） 120A （Tc） 不同 Id、Vgs 时的 Rds On（最大值） 1.5 毫欧 @ 100A，10V 不同 Id 时的 Vgs(th)（最大值） 4V @ 200µA 不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg) 250nC @ 10V 不同 Vds 时的输入电容 (Ciss) 20000pF @ 20V 功率 - 最大值 250W 安装类型 通孔 封装/外壳 TO-220-3 供应商器件封装 PG-TO220-3 其它名称 IPP015N04NG
IPP015N04NGHKSA1
IPP015N04NGXKSA1
SP000391520
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