供应分离式半导体 > 晶体管 > MOSFET > RUM003N02T2L
日期：2014-9-3制造商: ROHM SEMICONDUCTOR
产品种类: MOSFET
RoHS: 详细信息
商标: ROHM Semiconductor
晶体管极性: N-Channel
Vds-漏源极击穿电压: 20 V
Vgs-栅源极击穿电压 : 8 V
Id-连续漏极电流: 300 mA
Rds On-漏源导通电阻: 1 Ohms
配置: SINGLE
最大工作温度: + 150 C
Pd-功率耗散: 150 mW
安装风格: SMD/SMT
封装 / 箱体: VMT-3
封装: Reel
通道模式: Enhancement
下降时间: 10 ns
最小工作温度: - 55 C
上升时间: 10 ns
工厂包装数量: 8000
典型关闭延迟时间: 15 ns