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大量优势库存

美光:急切扩大3D闪存量产规模


美光预计将在今年内量产64层3D闪存,这个进度相比三星、东芝等竞争对手慢了不少。不过,美光的技术特色在于超高的单位存储密度,其32层3D闪存便可做到256Gb(MLC)的水平,由此不难展望美光64层闪存的实力。


未来美光的战略目标是逐步扩大3D NAND的生产比重。预计今年底3D闪存将占所有闪存产量的75%;2018年这一占比将达到90%,届时仅留少量平面闪存产能以满足个别低阶需求。


综合:闪存大扩产 未来恐供过于求


面对3D NAND缺货涨价的行情,各大存储厂商都积极扩产,唯恐先机被对手占去。未来两三年新建工厂全部投产后,3D闪存的市场供应量将暴增,届时需求面坚挺与否将直接决定3D闪存价格走势。


目前,已有相关业者对未来的行情表示担忧,调研机构IC Insights表示,由于厂商过度投资,3D闪存产能过剩的可能性“非常高”。  


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