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RUE002N02TL EMT3 ROHM 罗姆原

时间:2017-11-28,阅读:179,发布企业:品超電子(香港)有限公司, 资讯类别:会员资讯
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【型号】: RUE002N02TL

【封装】: SOT-523

【品牌】: ROHM

【包装】3000

【品质】:百分百全新原厂原装正品

FET 类型N 沟道
技术MOSFET(金属氧化物)
漏源极电压(Vdss)20V
电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时)200mA(Ta)
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On)1.2V,2.5V
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值)1V @ 1mA
不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)(最大值)-
不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值)25pF @ 10V
Vgs(最大值)±8V
FET 功能-
功率耗散(最大值)150mW(Ta)
不同 Id,Vgs 时的 Rds On(最大值)1.2 欧姆 @ 200mA,2.5V
工作温度150°C(TJ)
安装类型表面贴装
供应商器件封装EMT3

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