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属性：
| FET 类型 | P 沟道 | |
|---|---|---|
| 技术 | MOSFET（金属氧化物） | |
| 漏源电压（Vdss） | 55V | |
| 电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） | 31A（Tc） | |
| 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） | 10V | |
| 不同 Id，Vgs 时的 Rds On（最大值） | 60 毫欧 @ 16A，10V | |
| 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） | 4V @ 250µA | |
| 不同 Vgs 时的栅极电荷 （Qg）（最大值） | 63nC @ 10V | |
| Vgs（最大值） | ±20V | |
| 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） | 1200pF @ 25V | |
| FET 功能 | - | |
| 功率耗散（最大值） | 3.8W（Ta），110W（Tc） | |
| 工作温度 | -55°C ~ 175°C（TJ） | |
| 安装类型 | 表面贴装 | |
| 供应商器件封装 | D2PAK | |
| 封装/外壳 | TO-263-3，D²Pak（2 引线 + 接片） | ​ |
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