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Yeric表示:“自旋轨道扭矩(spin-orbit torque)MRAM或许能达到良好的速度/耐久性权衡,以获得内部核心逻辑。这将允许出现一种称为“常关(normally-off)”计算的情况。这是一个很大的变化,”

Yeric说:“能够冻结片上计算过程,保留状态而不消耗电力然后恢复,会产生相当可观的后果。这将需要一种新的处理器架构。我认为我们将增加一条新的处理器产品线,这可以解决物联网领域不同的功率范围需求问题。通过使用收集的能源,在没有电池的情况下工作。它符合物联网的特点和发展势头。”

但实际上还有很多事情需要解决,如将不同的材料引入晶圆厂总是需要小心,因为这可能会增加采用成本。这就是为什么还有基于更熟悉的材料的非易失性存储器的原因之一,例如基于氧化铪的铁电存储器,以及基于氧化硅的ReRAM。这两种材料都被用作晶圆厂生产中的绝缘体,但研究人员正在开发可用于存储器制造的材料性能,并已经取得了可喜的进展。

由科罗拉多大学教授CARLOS Paz de Araujo通过他的公司Symetrix Corp.(Colorado Springs, Colo.)开创了CeRAM技术。ARM自2014年开始与Symetrix合作。Yeric认为,该技术距离商业化还有两到三年的时间。CeRAM的耐久性比较好,存取速度和能效也不错。但这些并不是CeRAM的专利,很多非易失性存储技术似乎都有机会在这个阶段发展起来。

Yeric指出,魔鬼始终处于进程节点和集成过程中的细节,从位到阵列再到子系统。“我们希望在下一届ARM研究峰会上有一些这方面的报道”,他补充道。


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