集成芯片 TPS2378DDAR

品牌：TI

型号：TPS2378DDAR

封装：SOP8

包装：2500

年份；1825+

数量：75000

产地：MY 马来西亚

瑞利诚科技（深圳）有限公司

联系人：何小姐

电话：83253832

qq：3007215867

描述

这款 8 引脚集成电路包含 实现 IEEE802.3at 2 类受电设备 (PD) 所需的全部功能。该控制器的内部开关电阻低至 0.5Ω，并且采用耐热增强型 PowerPAD 封装，因此能够长时间在高达 0.85A 的电流下运行。TPS2378 具有 一个辅助电源检测 (APD) 输入，可优先连接外部电源适配器。该器件还 具有 100V 导通晶体管、140mA 浪涌电流限制、2 类指示、自动重试故障保护以及开漏电源正常状态输出。

特性

带有状态标志的 IEEE 802.3at 2 类硬件分类

适配器优先级输入

直流 (DC)/DC 转换器启用

稳健耐用的 100V、0.5Ω 热插拔金属氧化物半导体场效应晶体管 (MOSFET)

工作电流高达 850mA

1A（典型值）工作电流限值

15kV 和 8kV 系统级静电放电 (ESD) 能力

PowerPADHSOP 封装

应用

IEEE 802.3at 兼容器件

视频和网络语音 (VoIP) 电话

多频带访问点

监控摄像机

微微基站

强制型、四对、高功率设备（SLVA625）

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相关终端应用 (10)

IP 电话

IP 网络摄像机

Thermal Imaging Camera

WLAN/WiFi 接入点

可视门铃

小型蜂窝基站

漏水检测仪

用于 HMI 和 POS 的单板计算机

编码器和解码器

键盘

TPS2378 IEEE 802.3at PoE高功率PD接口

1特性

1•带有状态标志的IEEE 802.3at 2类硬件分类

•适配器优先级输入

•直流（DC）/ DC转换器启用

•稳健耐用的100V，0.5Ω热插拔金属氧化物半导体

场效应晶体管（MOSFET）

•工作电流高达850mA

•1A（典型值）工作电流限值

•15kV和8kV系统级静电放电（ESD）能力

•PowerPAD™HSOP封装

2应用

•IEEE 802.3at兼容器件

•视频和网络语音（VoIP）电话

•多频带访问点

•监控摄像机

•微微基站

•强制型，四对，高功率设备（SLVA625）

3说明

这款8引脚集成电路包含实现IEEE802.3at 2类受电

PD（PD）所需的全部功能。该控制器的内部开关电阻

低至0.5Ω，并且采用耐热增强型PowerPAD封装，因

85能够长时间在高达0.85A的电流下运行.TPS2378

具有一个辅助电源检测（APD）输入，可优先连接外部

电源适配器。该器件还具有100V导通晶体管，

140mA浪涌电流限制，2类指示，自动重试故障保护

以及开漏电源正常状态输出

器件信息（1）

器件型号封装封装尺寸（标称值）

TPS2378 HSOP（8）4.89mm×3.90mm

7.1概述

TPS2378器件是一个8引脚集成电路，包含实现所需的所有功能

IEEE802.3at类型2供电设备（PD），如检测，分类，类型2硬件分类，和

启动期间的140 mA浪涌电流限制。

TPS2378集成了一个低0.5Ω内部开关，允许高达0.85 A的连续电流通过

PD在正常操作期间。

TPS2378具有辅助电源检测（APD）输入，为外部电源适配器提供优先级。

TPS2378包含多种保护功能，如热关断，电流限制折返和稳健100V内部开关。

APD辅助电源检测

APD引脚用于可以从以太网电缆或辅助电缆获取电力的应用

电源。 APD引脚上相对于RTN的电压大于约1.5V会关闭内部通路

MOSFET，禁用CLS输出，并启用T2P输出，使适配器源优先于PoE。一

电阻分压器（图24中的RAPD1-RAPD2）为APD引脚提供系统级ESD保护，放电

阻塞二极管泄漏（图24中的DA）并提供输入电压监控以确保切换

在过低的电压下不会发生辅助电压源。 如果未使用，请将APD连接到RTN。

CDB转换器禁用条形针接口

CDB是低电平有效输出，当器件处于浪涌电流限制时，它被拉至RTN。 它仍然存在

所有其他时间的高阻抗状态。 该引脚为漏极开路输出，可能需要上拉电阻或

下游负载的其他接口。 如果不使用，CDB可以保持打开状态。

通过将软启动引脚保持为低电平，CDB引脚可用于禁止下游转换器启动。 图15

显示了CDB连接到UCC2897A DC-DC控制器的SS引脚的示例。 因为CDB是一个

开漏输出，当它无效时不会影响软启动电容的充电时间。 另一个常见的用途

CDB引脚用于使能具有高电平有效使能输入的转换器。 在这种情况下，CDB可能需要上拉

电阻连接到VDD或偏置电源，具体取决于控制器使能引脚的要求。

CLS分类

连接在CLS引脚和VSS之间的外部电阻（图24中的RCLS）提供了分类

签名到PSE。 控制器在外部电阻上施加大约2.5 V的电压

每当VDD和VSS之间的电压差为大约10.9 V至22 V时

该电阻与控制器的内部电流消耗以及通过内部通道的任何泄漏相结合

MOSFET，产生分级电流。 表1列出了每个PD所需的外部电阻值

功率范围由IEEE802.3at定义。 PD绘制的最大平均功率加上提供的功率

到下游负载，不应超过表1中所示的最大功率。保持APD高电平禁用

分类签名。如果在第一个周期出现Class 4，则高功率PSE可以执行两个类周期

DEN检测并启用

DEN引脚实现了两个独立的功能。 连接在VDD和DEN之间的电阻（图24中的RDEN）

一般来说，只要VDD和VSS之间的电压差大约为1，就会产生检测特征

1.4至10.9 V.超出此范围，控制器断开此电阻以节省功率。 IEEE 802.3at

standard规定了检测特征电阻，RDEN从23.75kΩ到26.25kΩ，或25kΩ±5％。IT

对于RDEN，建议使用24.9kΩ±1％的电阻。

如果连接在VDD和DEN之间的电阻被分成两个大致相等的部分，则应用程序

电路可以通过将两个电阻之间的抽头接地来禁用PD。 同时这个动作

破坏检测特征，并向PSE发出PD不再需要电力的信号。

内部通道MOSFET

RTN引脚为负载提供负功率返回路径。一旦VDD超过UVLO阈值，

内部通道MOSFET将RTN拉至VSS。浪涌限制可防止RTN电流超过约140 mA

直到大容量电容（图24中的CBULK）完全充电。当RTN电流降至下方时，浪涌结束

约125毫安。 RTN电流随后被限制在大约1A .CBD拉低以发信号通知

大容量电容充满电的下游负载。如果RTN超过大约12 V超过800μs，然后TPS2378返回浪涌限制。

Type-2 PSE指标

只要观察到类型2硬件分类或APD引脚，TPS2378就会将T2P拉至RTN

拉得很高。如果器件进入热关断，即通过，T2P输出将返回高阻态

MOSFET进入浪涌限制，或者如果未检测到2型PSE且APD上的电压降至低于其值

阈值。

监视类型2硬件分类的电路在VDD到VSS时锁存其结果

电压差升高到分类阈值以上。当VDD到VSS电压时，该电路复位

差异降至标记阈值以下。如果不使用，T2P引脚可以保持未连接状态。

T2P引脚为低电平有效开漏输出，表示可以使用高功率电源。一个

光耦合器可以将T2P引脚连接到转换器次级侧的电路。高增益光耦合器

建议使用高阻抗（例如CMOS）接收器。