原装现货LM5050MK-1/NOPB

备选器件推荐

LM5050-1高侧ORing FET控制器

LM74700-Q1 - 寻找最新，最低的Iq？试试LM74700-Q1

品牌：TI

型号：LM5050MK-1/NOPB

封装：SOT23-6

包装：1000

年份：1825+

产地：MY 马来西亚

LM5050MK-1/NOPB

数量：80000

瑞利诚科技（深圳）有限公司

联系人：何小姐

电话：83253832

qq：3007215867

描述

LM5050-1 / -Q1高边OR-ing FET控制器与外部MOSFET配合使用，作为与电源串联的理想二极管整流器。该ORing控制器允许MOSFET取代配电网络中的二极管整流器，从而降低功率损耗和电压降。

LM5050-1 / -Q1控制器为外部N沟道MOSFET和快速响应比较器提供电荷泵栅极驱动，以在电流反向流动时关闭FET。 LM5050-1 / -Q1可以连接5 V至75 V的电源，可承受高达100 V的瞬态电压。

特性

提供标准和AEC-Q100认证

版本LM5050Q0MK-1（最高150°C TJ）和

LM5050Q1MK-1（最高125°C TJ）

宽工作输入电压范围，VIN：1 V至

75 V（VIN <5 V时需要VBIAS）

100V瞬态能力

用于外部N沟道的电荷泵栅极驱动器

MOSFET

对电流反转的快速50 ns响应

2-A峰值栅极关断电流

最小VDS钳位，实现更快的关断

封装：SOT-6（薄SOT-23-6）

LM5050-1高侧ORing FET控制器

LM5050-1 / -Q1高侧OR-ing FET控制器

1特点3描述

LM5050-1 / -Q1高侧OR-ing FET控制器

1•适用于标准和AEC-Q100认证

与外部MOSFET一起工作，型号为LM5050Q0MK-1（最高150°C TJ））和

与LM5050Q1MK-1串联时的理想二极管整流器（最高125°C TJ）电源。

这个ORing控制器允许

•宽工作输入电压范围，VIN：1 V至MOSFET，用于替代电源中的二极管整流器

75 V（VIN <5 V所需的VBIAS）配电网络因此降低了功率损耗

•100 V瞬态功能和电压降。

•外部N通道的电荷泵栅极驱动器LM5050-1 / -Q1控制器提供电荷泵

MOSFET栅极驱动用于外部N沟道MOSFET和a

快速响应比较器在以下情况下关闭FET•快速50 ns响应电流反转

电流反向流动。 LM5050-1 / -

•2 A峰值栅极关断电流Q1可以连接5 V至5 V的电源

•最小VDS钳位，可实现75 V更快的关断，并可承受高达100 V的瞬态电压。

•封装：SOT-6（薄SOT-23-6）

设备信息（1）

2应用部件号包装体尺寸（NOM）

冗余LM5050-1（N + 1）电源SOT（6）2.90 mm×1.60 mm的有源OR-ing

供应LM5050-1-Q1

所有内部偏置的主电源引脚和内部栅极驱动1 VS I的辅助电源

电荷泵。 通常连接到VOUT或VIN; 也可以使用单独的供应。

2 GND PWR控制器的接地回路

OFF引脚处的逻辑高电平状态将GATE引脚拉至低电平并关闭外部MOSFET。

3 OFF I请注意，当MOSFET关闭时，电流仍会通过FET的体二极管导通。 这个

如果未使用，引脚应保持开路或连接到GND。

4 IN I电压检测连接到外部MOSFET源极引脚。

连接到外部MOSFET的栅极。 控制MOSFET以模拟低正向5 GATE O电压二极管。

6 OUT O与外部MOSFET漏极引脚的电压检测连接。

产品规格

6.1绝对最大额定值

超过运行的自由空气温度范围（除非另有说明）（1）

MIN MAX UNIT

IN，OUT引脚接地（2）-0.3 100 V

GATE引脚接地（2）-0.3 100 V

VS引脚接地-0.3 100 V

OFF引脚接地-0.3 7 V.

储存温度-65 150°C

（1）超出绝对最大额定值列出的应力可能会对器件造成永久性损坏。这些是压力等级

但是，这并不意味着设备在这些或任何其他条件下的功能操作超出了推荐的条件

运行条件。长时间暴露在绝对最大额定条件下可能会影响器件的可靠性。

（2）当LM5050-1使能时，GATE引脚电压通常比IN引脚电压高12 V（即，OFF引脚为开路或低电平，并且

VIN> VOUT）。因此，IN引脚电压的绝对最大额定值仅适用于LM5050-1禁用时（即OFF）

引脚为逻辑高电平），或者对于该电压的瞬间浪涌，因为GATE引脚的绝对最大额定值也为100 V

6.2 ESD额定值：LM5050-1

价值单位

人体模型（HBM），符合ANSI / ESDA / JEDEC JS-001（1）±2000

V（ESD）静电放电V.

机器型号（MM）（2）±150

（1）JEDEC文件JEP155规定，500 V HBM可通过标准ESD控制过程实现安全制造。

（2）MM是一个200 pF的电容，通过一个0Ω电阻（即直接）放电到每个引脚。适用的测试标准是JESD-A115-一个。

6.3 ESD额定值：LM5050-1-Q1

价值单位

人体模型（HBM），按照AEC Q100-002（1）±2000

V（ESD）静电放电V.

机器型号（MM）（2）±150

（1）AEC Q100-002表示HBM应力应符合ANSI / ESDA / JEDEC JS-001规范。

（2）MM是一个200 pF的电容，通过一个0Ω电阻（即直接）放电到每个引脚。适用的测试标准是JESD-A115-一个。

6.4推荐的操作条件

超过运行的自由空气温度范围（除非另有说明）

MIN MAX UNIT

IN，OUT，VS引脚5 75 V.

OFF引脚0 5.5 V

标准级-40 125°C

结温（TJ

）LM5050Q0MK-1 -40 150°C

LM5050Q1MK-1 -40 125°C

6.5热量信息

LM5050-1 / -Q1

热量表（1）DDC（SOT）单元

6个PIN码

RθJA结至环境热阻180.7°C / W.

RθJC（顶部）结到壳（顶部）热阻41.3°C / W.

RθJB结到板的热阻为28.2°C / W.

ψJT结顶到表征参数0.7°C / W.

ψJB结至电路板特性参数27.8°C / W.

（1）有关传统和新热指标的更多信息，请参阅半导体和IC封装热指标应用

6电气特性

典型值代表TJ = 25°C时最可能的参数范数，仅供参考。除非

否则说明适用以下条件：VIN = 12 V，VVS = VIN，VOUT = VIN，VOFF = 0 V，CGATE = 47 nF，TJ = 25°C。

参数测试条件MIN TYP MAX UNIT

VS PIN

操作

VVS电源电压TJ = -40°C至125°C 5 75 V.

范围

V TJ = 25°C 75 VS = 5 V，VIN = 5 V.

VOUT = VIN - 100 mV TJ = -40°C至125°C 105

工作V TJ = 25°C 100 VS = 12 V，VIN = 12 V.

IVSμA

电源电流VOUT = VIN - 100 mV TJ = -40°C至125°C 147

V TJ = 25°C 130 VS = 75 V，VIN = 75 V.

VOUT = VIN - 100 mV TJ = -40°C至125°C 288

在PIN中

工作输入VIN TJ = -40°C至125°C 5 75 V.

电压范围

VIN = 5 V TJ = 25°C 190

VVS = VIN

VOUT = VIN - 100 mV TJ = -40°C至125°C 32 305

GATE =开放

IIN IN引脚电流TμA

J = 25°C 320 VIN = 12 V至75 V.

VVS = VIN LM5050MK-1，TJ = -40°C至125°C 233 400 VOUT = VIN - 100 mV LM5050Q1MK-1

GATE =开路TJ = -40°C至125°C LM5050Q0MK-1 233 475

OUT PIN

操作

VOUT输出电压TJ = -40°C至125°C 5 75 V.

范围

VIN = 5 V至75 V TJ = 25°C 3.2

IOUT OUT引脚电流VVS =VINμA

V TJ = -40°C至125°C 8

OUT = VIN - 100 mV

门密码

VIN = 5 V TJ = 25°C 30

VVS = VIN

VGATE = VIN TJ = -40°C至125°C 12 41

栅极引脚源VOUT = VIN - 175 mV

IGATE（ON）μA

电流VIN = 12 V至75 V TJ = 25°C 32

VVS = VIN

VGATE = VIN TJ = -40°C至125°C 20 41

VOUT = VIN - 175 mV

VIN = 5 V TJ = 25°C 7

VVS = VIN VGATE - VIN在V TJ = -40°C至125°C 4 9

OUT = VIN - 175 mV

VGS前进V

操作（1）VIN = 12 V至75 V TJ = 25°C 12

VVS = VIN

V TJ = -40°C至125°C 9 14

LM5050用NMOSFET取代了这些应用中的二极管

减少与无源解决方案相关的电压降和功率损耗。低输入时

如图所示，在电压裕度较大的情况下，容易理解正向电压损失的改善

图2. LM5050的工作电压范围为5 V至75 V，绝对最大可承受100 V电压

损伤。图24显示了12 V或15 A的理想二极管应用。包括几个外部元件

除了MOSFET，Q1。理想二极管，就像它们非理想的对应物一样，表现出一种被称为的行为

反向恢复。与寄生或有意引入的电感相结合，反向恢复尖峰

在反向电流关断期间，可以由理想二极管产生。 D1，D2和R1可以防止这些

尖峰可能超过LM5050 100-V存活等级。 COUT也起着吸收作用

逆向恢复能量。在短路故障中详细讨论了尖峰和保护方案输入供应部分。

当最初施加功率时，负载电流将通过体二极管从源极流到漏极

MOSFET。 一旦体二极管两端的电压超过VSD（REG），LM5050-1就会开始充电

MOSFET栅极通过32μA（典型值）电荷泵电流源。 在前进操作中，门

MOSFET充电直至其达到12 V GATE至IN引脚齐纳二极管的钳位电压

LM5050-1。

LM5050-1设计用于调节MOSFET栅极 - 源极电压。 如果MOSFET电流减小到

MOSFET两端的电压低于VSM（REG）电压调节点22 mV（典型值），

GATE引脚电压将降低，直到MOSFET两端的电压调节为22 mV。 如果

源极 - 漏极电压大于VSD（REG）电压，栅极 - 源极电压将增加

最终达到12 V GATE至IN引脚齐纳钳位电平。

如果MOSFET电流反转，可能是由于输入电源的故障，使得电压跨越

LM5050-1 IN和OUT引脚比VSD（REV）电压-28 mV（典型值）更负，LM5050-1将

通过强GATE快速放电MOSFET栅极到IN引脚放电晶体管。

如果输入电源突然失效，如果电源直接短接到地，就会出现反向电流

将暂时流过MOSFET，直到栅极完全放电。该反向电流来源

来自负载电容和并联电源。 LM5050-1响应电压

反转条件通常在25 ns内。关闭MOSFET所需的实际时间取决于

由所使用的MOSFET的栅极电容保持的电荷。具有47 nF有效栅极的MOSFET

通常可以在180 ns内关闭电容。这种快速关断时间可以最大限度地减少电压干扰

输出，以及冗余电源的电流瞬变。

7.3.2 VS引脚

LM5050-1 VS引脚是所有内部偏置的主电源引脚，也是内部门的辅助电源

驱动电荷泵。

对于典型的LM5050-1应用，输入电压高于5 V，VS引脚可以直接连接到

OUT引脚。在输入电压接近但不小于5 V最小值的情况下，它可能是

有助于通过RC低通滤波器将VS引脚连接到OUT引脚，以减少不稳定的可能性

由于OUT和IN引脚上可能出现的寄生电压尖峰引起的行为。串联电阻值

应足够低，以使VS电压降最小。典型的串联电阻值为100Ω。该

电容值应该是产生可接受的电压噪声滤波的最低值。

如果在IN悬空或接地时Vs上电，那么大约0.5 mA将从Vs引脚泄漏到IC中

大约3mA将从OUT引脚泄漏到IC中。从这次泄漏中，大约50 uA将从IN引脚流出

其余的将流向地面。这不会影响IC的长期可靠性，但可能会影响电路设计。

有关如何避免泄漏电流的详细信息，请参见“使用IQ减少反向输入电压保护”。

或者，如果VS引脚由电源供电，则可以在VIN值低至1 V的情况下运行LM5050-1。

单独供应。这个独立的VS电源必须是5 V和75 V.参见图27。

7.3.3 OFF引脚

OFF引脚是逻辑电平输入引脚，用于控制外部MOSFET的栅极驱动。该

该引脚的最大工作电压为5.5 V.

当OFF引脚为高电平时，MOSFET关闭（与检测到的IN和OUT电压无关）。在这

模式下，负载电流将流过MOSFET的体二极管。 IN引脚之间的电压差

如果MOSFET通过体二极管正常工作，则OUT引脚将约为700 mV。

OFF引脚的内部下拉电阻为5μA（典型值）。如果不需要OFF功能，则可以留下引脚

打开或接地。

7.4设备功能模式

7.4.1 ON / OFF控制模式

可以通过将OFF引脚置为高电平来关闭MOSFET。该模式仅禁用MOSFET，但禁用VOUT

仍可通过MOSFET的体二极管获得。

7.4.2外部电源模式

LM5050的Vs引脚可在5 V至75 V范围内作为偏置输入电源工作。在此模式下VIN电压

可以低至1 V