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时间:2018-9-28,阅读:82,发布企业:深圳南方易购电子有限公司, 资讯类别:会员资讯
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MAX3241EEWI+本公司只做原装现货,提供一站式配套服务。因型号众多不能一一上传,如你有更多的需求,请联系客服.公司主营品牌:IC类:NXP.DIODES.PHILIPS. MAXIM,TI. LT, AD, ST, BB, NSC, DALLAS, INTEL,Infineon, MOTOROLA,ON.INTEL. XILINX.ALTERA. AMCC. CHIPS.内存.显存.闪存类:SAMSUNG.SPANSION.HYNIX. { MICROCHIP.等等品牌产品.全系列供应本公司店诚信为本的原则 ,所售商品全部为自己库存,全新原装,实物实拍,描述全部为真实描述,绝无以次充好。我公司为实体店经营,线上线下同时经营,深圳客户可上门交易陈小姐  QQ1350526129IGBT/功率MOSFET是一种电压控制型器件,可用作电源电路、电机驱动器和其它系统中的开关元件。栅极是每个器件的电气隔离控制端。MOSFET的另外两端是源极和漏极,而对于IGBT,它们被称为集电极和发射极。为了操作MOSFET/IGBT,通常须将一个电压施加于栅极(相对于器件的源极/发射极而言[QC1] )。使用专门驱动器向功率器件的栅极施加电压并提供驱动电流[QC2] 。本文讨论栅极驱动器是什么,为何需要栅极驱动器,以及如何定义其基本参数,如时序、驱动强度和隔离度。IGBT/功率MOSFET的结构使得栅极[QC3] 形成一个非线性电容。给栅极电容充电会使功率器件导通,并允许电流在其漏极和源极引脚之间流动,而放电则会使器件关断,漏极和源极引脚上就可以阻断大电压。当栅极电容充电且器件刚好可以导通时的最小电压就是阈值电压(VTH)。为将IGBT/功率MOSFET用作开关,应在栅极和源极/发射极引脚之间施加一个充分大于VTH的电压。考虑一个具有微控制器的数字逻辑系统,其I/O引脚之一上可以输出一个0 V至5 V的PWM信号。这种PWM将不足以使电源系统中使用的功率器件完全导通,因为其过驱电压[QC4] 一般超过标准CMOS/TTL逻辑电压。因此,逻辑/控制电路和高功率器件之间需要一个接口。这可以通过驱动一个逻辑电平n沟道MOSFET,其进而驱动一个功率MOSFET来实


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