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STGB40H65FB

时间:2018-9-29,阅读:164,发布企业:深圳恩泽百惠科技有限公司, 资讯类别:会员资讯
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深圳恩泽百惠科技有限公司
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肖先生
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福田振兴路华匀大厦1栋701
摘要:原装正品 优势库存 绝对有货

类别 分立半导体产品 
晶体管 - UGBT,MOSFET - 单 
制造商 STMicroelectronics 
系列 HB 
包装 ? 带卷(TR) ? 
零件状态 在售 
IGBT 类型 沟槽型场截止 
电压 - 集射极击穿(最大值) 650V 
电流 - 集电极(Ic)(最大值) 80A 
脉冲电流 - 集电极 (Icm) 160A 
不同 Vge,Ic 时的 Vce(on) 2V @ 15V,40A 
功率 - 最大值 283W 
开关能量 498µJ(开),363µJ(关) 
输入类型 标准 
栅极电荷 210nC 
25°C 时 Td(开/关)值 40ns/142ns 
测试条件 400V,40A,5 欧姆,15V 
工作温度 -55°C ~ 175°C(TJ) 
安装类型 表面贴装 
封装/外壳 TO-263-3,D²Pak(2 引线 + 接片),TO-263AB 
供应商器件封装 D2PAK

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