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CGH60060D的中英文资料

时间:2018-10-1,阅读:129,发布企业:深圳市国宇航芯科技有限公司, 资讯类别:会员资讯
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摘要:CGH60060D

CGH60060D 的订货周期10-12周订货13632767652黄小姐

60-W, 6.0-GHz, GaN HEMT Die

SKU: CGH60060D

Wolfspeed’s CGH60060D is a gallium-nitride (GaN) high-electron-mobility transistor (HEMT). GaN has superior properties compared to silicon or gallium arsenide, including higher breakdown voltage, higher saturated electron drift velocity, and higher thermal conductivity. GaN HEMTs offer greater power density and wider bandwidths compared to Si and GaAs transistors.

WWFLAST的CGH600 60D是氮化镓(GaN)高电子迁移率晶体管(HEMT)。与硅或砷化镓相比,氮化镓具有优越的性能,包括更高的击穿电压、更高的饱和电子漂移速度和更高的热导率。GaN HEMT与Si和GaAs晶体管相比,提供更大的功率密度和更宽的带宽。

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