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CG2H80060D北京军工IC国宇航芯黄小姐优势订货

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CG2H80060D的订货周期10-12周订货13632767652黄小姐

60-W, 8.0-GHz, GaN HEMT Die

SKU: CG2H80060D

Wolfspeed’s CG2H80060D is a gallium-nitride (GaN) high-electron-mobility transistor (HEMT). GaN has superior properties compared to silicon or gallium arsenide, including higher breakdown voltage, higher saturated electron drift velocity, and higher thermal conductivity. GaN HEMTs offer greater power density and wider bandwidths compared to Si and GaAs transistors.

WWFLAST的CG2H800 60D是氮化镓(GaN)高电子迁移率晶体管(HEMT)。与硅或砷化镓相比,氮化镓具有优越的性能,包括更高的击穿电压、更高的饱和电子漂移速度和更高的热导率。GaN HEMT与Si和GaAs晶体管相比,提供更大的功率密度和更宽的带宽。


国宇航芯最新优势型号

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深圳市国宇航芯科技有限公司

公司主要经销:ADI TI XILINX ALTERA  IDT MSC  QORVO  CREE EUVIS等

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产品用途涉及:航空航天 通信 微波 雷达导弹 战舰 航海等重型设备和高端&高可靠设备。

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