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传三星明年减少半导体设备投资、DRAM投资额砍2成

时间:2018-10-8,阅读:71,发布企业:深圳市十德盛科技有限公司, 资讯类别:会员资讯
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韩国三星电子5日公布上季(2018年7-9月)初估财报,合并营益较去年同期大增20%至17.5万亿韩元、创下单季历史新高纪录。不过,据日媒指出,因预估DRAM价格将在2019年以后走跌,因此为了延迟当前存储器绝佳市况反转的时间,三星可能将由攻转守,明年(2019年)三星半导体设备投资额恐较2018年预估值呈现减少、其中DRAM投资额恐大砍2成。

日经新闻5日报导,三星上季合并营益创历史新高,其中半导体部门营益预估超过13万亿韩元、该部门营益连续第8季创下历史新高,不过因预估三星金鸡母DRAM价格将在2019年以后下滑,因此为了延迟当前绝佳市况反转的时间,三星可能将转为守势,市场普遍预估三星2019年半导体设备投资额将较2018年预估值呈现减少。

日经新闻采访了5位追踪三星的韩国分析师,其中4位预期三星2019年的半导体设备投资额将较2018年预估值减少,其中1位虽预期将增加,不过主要是因为针对晶圆代工事业的投资金额增加,若单就存储器事业来看、是呈现减少的。

韩国投资证券表示,三星2018年半导体设备投资额约27万亿韩元、持平于2017年水准,不过2019年预估将较2018年减少约8%。韩国投资证券预估,三星2019年对NAND型快闪存储器(Flash Memory)的投资虽将若干增加、不过对DRAM预估会减少2成以上。

SK证券指出,“三星2019年的半导体策略是DRAM重视价格、NAND Flash重视市占率”。三星为了避免获利率高的DRAM陷入极端供应过剩局面,将藉由抑制投资、藉此舒缓2019年DRAM价格的下跌速度。


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