SK海力士韩国M15工厂落成 未来冲刺NAND Flash市场

根据韩国媒体报导，韩国存储器大厂SK海力士于10月4日在韩国忠清北道清州举行M15半导体工厂启用典礼，并开始生产第5代96层堆叠的3D NAND Flash快闪存储器，这也将巩固SK海力士全球第二大存储器制造商的地位。

报导指出，SK海力士在M15投资了15万亿韩元，一开始将生产第4代72层堆叠3D NAND Flash快闪存储器，然后从2019年初开始生产96层3D NAND Flash快闪存储器。相较第4代72层堆叠产品，第5代96层堆叠3D NAND Flash快闪存储器，在传输速度、容量、功耗都提高30%~40%。

SK海力士完成M15工厂有两大意义。首先，新工厂帮助SK海力士更积极因应全球对3D NAND Flash快闪存储器的需求，NAND Flash快闪存储器因为工业4.0应用而快速成长。SK海力士目前在NAND Flash市场排名第四或第五，预计藉由扩大生产96层堆叠3D NAND Flash快闪存储器，缩小与竞争对手三星、东芝、美光等企业的差距。

M15工厂落成，也代表着SK海力士对DRAM的依赖可逐步减少。2017全年，DRAM占公司营业利益90%，2018年第2季SK海力士在全球DRAM市场排名第二，市占率为29.6%。NAND Flash快闪存储器市场排名第四，市占率11.1%。

由于全球NAND Flash快闪存储器需求成长，使存储器制造商增加投资NAND Flash快闪存储器。如三星将投资70亿美元在中国西安建立第2家NAND Flash快闪存储器制造工厂，并自2019年底前开始生产48层堆叠NAND Flash快闪存储器。东芝方面，近期在日本建造了一座类似的工厂，最近也完成32堆叠层NAND Flash快闪存储器开发，计划从2018年底开始生产。

除了三星与东芝，扩产最积极的就属中国厂商。SK海力士的M15工厂未来主要生产的96层堆叠NAND Flash快闪存储器。目前韩国、美国和日本等存储器公司正在积极开发96层堆叠NAND Flash快闪存储器。2017年6月，东芝与西数合作开发该技术，且于日前正式生产。美光科技方面，则计划在2017年与英特尔完成开发，三星在2018年5月正式宣布供应90层堆叠产品。

根据相关业者表示，M15工厂未来成功营运后，可有效改善SK海力士目前业务结构。相较SK海力士，三星在DRAM和NAND Flash的比重为60%和40%。之前，SK海力士愿意参与贝恩资本发起的“美日韩联盟”，投资不少于4万亿韩元，参与竞标东芝半导体经营权，就是想降低对DRAM产品的依赖。

根据SK海力士2018年第2季财报，营业利益较2017年同期的3.1万亿韩元上升83%，来到5.6万亿韩元，也优于市场预期的5.4万亿韩元。营收年增55%，达到创纪录的10.4万亿韩元。其中，DRAM占80%销量，NAND Flash则占18%。