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SUD50P06-15-GE3

时间:2018-10-9,阅读:119,发布企业:深圳市翔睿腾科技有限公司, 资讯类别:会员资讯
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SUD50P06-15-GE3

制造商:

Vishay / Siliconix

说明:

MOSFET 60V 50A 113W 15mohm @ 10V

制造商: Vishay

产品种类: MOSFET

RoHS:  详细信息

技术: Si

安装风格: SMD/SMT

封装 / 箱体: TO-252-3

通道数量: 1 Channel

晶体管极性: P-Channel

Vds-漏源极击穿电压: - 60 V

Id-连续漏极电流: - 50 A

Rds On-漏源导通电阻: 15 mOhms

Vgs th-栅源极阈值电压: - 3 V

Vgs - 栅极-源极电压: 20 V

Qg-栅极电荷: 165 nC

最小工作温度: - 55 C

最大工作温度: + 150 C

配置: Single

Pd-功率耗散: 113 W

通道模式: Enhancement

商标名: TrenchFET

封装: Cut Tape

封装: MouseReel

封装: Reel

高度: 2.38 mm  

长度: 6.73 mm  

系列: SUD  

宽度: 6.22 mm  

商标: Vishay / Siliconix  

正向跨导 - 最小值: 61 S  

下降时间: 175 ns  

产品类型: MOSFET  

上升时间: 70 ns  

工厂包装数量: 2000  

子类别: MOSFETs  

典型关闭延迟时间: 175 ns  

典型接通延迟时间: 15 ns  

单位重量: 1.438 g


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