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BFP196W原装现货

时间:2018-10-31,阅读:118,发布企业:瑞利诚科技(深圳)有限公司, 资讯类别:会员资讯
公司:
瑞利诚科技(深圳)有限公司
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摘要:BFP196W描述: NPN硅RF晶体管 功能摘要:•适用于天线和电信系统中的低噪声,低失真宽带放大器,集电极电流为20 mA至80 mA时,频率高达1.5 GHz

所述增益值Gmax适用于频率为900 MHz(低频产品和高增益高达2.5 GHz的Si晶体管)至1.8 GHz(高增益高达2.5 GHz的Si晶体管,高增益SiGe:C晶体管)高达6 GHz)。噪声系数NFmin已在测试夹具中测量,输入端具有噪声匹配;所述值适用于低频率。 OIP3和OP1dB值已在50欧姆系统中测量,可通过选择合适的负载阻抗进行优化。

描述:

NPN硅RF晶体管

功能摘要:•适用于天线和电信系统中的低噪声,低失真宽带放大器,集电极电流为20 mA至80 mA时,频率高达1.5 GHz

•用于DECT和PCN系统的功率放大器

•fT = 7.5 GHz,900 MHz时F = 1.3 dB

•无铅(符合RoHS标准)封装

•符合AEC-Q101的资格报告


品牌:Infineon

型号:BFP196W H6327

封装:SOT343    

包装:3000

年份:1817+

产地:MY 马来西亚

数量:960000

瑞利诚科技(深圳)有限公司

联系人:何小姐

电话:83253832

qq:3007215867


描述:

NPN硅RF晶体管

功能摘要:•适用于天线和电信系统中的低噪声,低失真宽带放大器,集电极电流为20 mA至80 mA时,频率高达1.5 GHz

•用于DECT和PCN系统的功率放大器

•fT = 7.5 GHz,900 MHz时F = 1.3 dB

•无铅(符合RoHS标准)封装

•符合AEC-Q101的资格报告


目标应用:

•无线通信

•RF前端的LNA

•适用于蜂窝和无绳电话,DECT,调谐器,FM和RF调制解调器等各种应用。

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BFP760是一款高线性度,低噪声宽带双极性RF晶体管

低噪声硅双极射频晶体管

•低噪声,低失真宽带

天线和电信中的放大器

集电极电流高达1.5 GHz的系统

20 mA至80 mA

•用于DECT和PCN系统的功率放大器

•fT = 7.5 GHz,900 MHz时NFmin = 1.3 dB

•无铅(符合RoHS标准)和无卤素封装有可见的线索

ESD(静电放电)敏感装置,注意操作注意事项!

键入标记引脚配置包

BFP196W RIs 1 = E 2 = C 3 = E 4 = B - -SOT343

除非另说明,TA = 25°C时的最大额定值

参数符号值单位


基极电流IB 15总功耗1)

TS≤69°C

Ptot 700 mW

结温TJ 150°C

环境温度TA -65 ... 150

储存温度TStg -65 ... 150热阻


参数符号值单位

结点 - 焊点2)RthJS 115 K / W.

1TS在焊接点处的集电极引线上测量到PCB

2有关RthJS的定义,请参考应用笔记AN077(热阻计算)

除非另有说明,TA = 25°C时的电气特性

参数符号值单位

分钟。(典型值)。最大。

直流特性

集电极 - 发射极击穿电压

IC = 1mA,IB = 0

V(BR)首席执行官12 - - V.

集电极 - 发射极截止电流

VCE = 20 V,VBE = 0

ICES - - 100μA

集电极截止电流

VCB = 10 V,IE = 0

ICBO - - 100 nA

发射极截止电流

VEB = 1 V,IC = 0

IEBO - - 1μA

直流电流增益

IC = 50mA,VCE = 8V,测量脉冲

hFE 70 100 140 -

除非另有说明,TA = 25°C时的电气特性。

(典型值)。最大。

直流特性

集电极 - 发射极击穿电压

IC = 1mA,IB = 0

V(BR)首席执行官12 - - V.

集电极 - 发射极截止电流

VCE = 20 V,VBE = 0

ICES - - 10μA

集电极截止电流

VCB = 10 V,IE = 0

ICBO - - 100 nA

发射极截止电流

VEB= 1 V,IC = 0

IEBO - - 1μA

直流电流增益

IC = 50mA,VCE = 8V,测量脉冲

hFE 70 100 140 -

除非另有说明,TA = 25°C时的电气特性。

(典型值)。最大。

直流特性

集电极 - 发射极击穿电压

IC = 1mA,IB = 0

V(BR)首席执行官12 - - V.

集电极 - 发射极截止电流

VCE = 20 V,VBE = 0

ICES - - 100μA

集电极截止电流

VCB = 10 V,IE = 0

ICBO - - 100 nA

发射极截止电流

VEB = 1 V,IC = 0

IEBO - - 1μA

直流电流增益

IC = 50mA,VCE = 8V,测量脉冲

hFE 70 100 140 -

除非另有说明,TA = 25°C时的电气特性。

最大。直流特性

集电极 - 发射极击穿电压

IC = 1mA,IB = 0

V(BR)首席执行官12 - - V.

集电极 - 发射极截止电流

VCE = 20 V,VBE = 0

ICES - - 100μA

集电极截止电流

VCB = 10 V,IE = 0

ICBO - - 100 nA

发射极截止电流

VEB = 1 V,IC = 0

IEBO - - 1μA

直流电流增益

IC = 50mA,VCE = 8V,测量脉冲

hFE 70 100 140 -

除非另有说明,TA = 25°C时的电气特性。 (典型值)


最大交流特性(随机抽样验证)

过渡频率

IC = 70mA,VCE = 8V,f = 500MHz

fT 5 7.5 - GHz

集电极电容

VCB = 10 V,f = 1 MHz,VBE = 0,

发射器接地

Ccb - 0.86 1.3 pF

集电极发射极电容

VCE = 10 V,f = 1 MHz,VBE = 0,

基地接地

Cce - 0.4 -

发射极电容

VEB = 0.5 V,f = 1 MHz,VCB = 0,收集器接地

Ceb - 3.9 -

最小噪声系数

IC =20 mA,VCE = 8 V,ZS = ZSopt,

f = 900 MHz

f = 1.8 GHz

NFmin

功率增益,最大可用1)

C = 50 mA,VCE = 8 V,ZS = ZSopt,ZL = ZLopt,

f = 900 MHz

f = 1.8 GHz

输出处的三阶拦截点2)

IC = 50 mA,VCE = 8 V,ZS = ZL =50Ω,

f = 0.9 GHz

IP3 - 32 - dBm

输出时1dB压缩点

IC = 50 mA,VCE = 8 V,ZS = ZL =50Ω,

f = 0.9 GHz

P-1dB - 19 -

1Gma = | S21 / S12 | (K-(K2-1)1/2)


2IP3值取决于所有互调频率分量的终止。

用于该测量的终端是从0.2MHz到12GHz的50Ω

功能摘要:

•适用于天线和电信系统中的低噪声,低失真宽带放大器,集电极电流为20 mA至80 mA时,频率高达1.5 GHz


•用于DECT和PCN系统的功率放大器

•fT = 7.5 GHz,900 MHz时F = 1.3 dB

•无铅(符合RoHS标准)封装

•符合AEC-Q101的资格报告


目标应用:

•无线通信

•RF前端的LNA

•适用于蜂窝和无绳电话,DECT,调谐器,FM和RF调制解调器等各种应用。

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