IRFB4227PBF 原装
日期：2018-10-31摘要：MOSFET N-CH 200V 65A TO-220AB
【型号】:IRFB4227PBF
【封装】:TO-220AB
【品牌】: Infineon Technologies
【包装】:1000
【品质】:百分百全新原厂原装正品
IRFB4227PBF.jpg" src="https://uploadfile.ic37.com/uploadfile/member_news/2018-10-31/dd2a37ea-440a-43c7-9996-ef9623a31913.jpg" />
| FET 类型 | N 沟道 | |
|---|---|---|
| 技术 | MOSFET（金属氧化物） | |
| 漏源电压（Vdss） | 200V | 200V" name="pv2068" /> |
| 电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） | 65A（Tc） | |
| 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） | 10V | |
| 不同 Id，Vgs 时的 Rds On（最大值） | 24 毫欧 @ 46A，10V | |
| 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） | 5V @ 250µA | |
| 不同 Vgs 时的栅极电荷 （Qg）（最大值） | 98nC @ 10V | |
| Vgs（最大值） | ±30V | |
| 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） | 4600pF @ 25V | |
| FET 功能 | - | |
| 功率耗散（最大值） | 330W（Tc） | |
| 工作温度 | -40°C ~ 175°C（TJ） | |
| 安装类型 | 通孔 | |
| 供应商器件封装 | TO-220AB | |
| 封装/外壳 | TO-220-3 | ​ |