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IRFR220TRPBF

时间:2018-10-31,阅读:192,发布企业:品超電子(香港)有限公司, 资讯类别:会员资讯
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品超電子(香港)有限公司
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摘要:MOSFET N-CH 200V 4.8A DPAK

【型号】:IRFR220TRPBF

【封装】:TO-252-3

【品牌】: Vishay Siliconix

【包装】:2000

【品质】:百分百全新原厂原装正品

FET 类型N 沟道
技术MOSFET(金属氧化物)
漏源电压(Vdss)200V
电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时)4.8A(Tc)
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On)10V
不同 Id,Vgs 时的 Rds On(最大值)800 毫欧 @ 2.9A,10V
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值)4V @ 250µA
不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)(最大值)14nC @ 10V
Vgs(最大值)±20V
不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值)260pF @ 25V
FET 功能-
功率耗散(最大值)2.5W(Ta),42W(Tc)
工作温度-55°C ~ 150°C(TJ)
安装类型表面贴装
供应商器件封装D-Pak
封装/外壳TO-252-3,DPak(2 引线 + 接片),SC-63

 

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