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时间:2018-11-2,阅读:155,发布企业:深圳恩泽百惠科技有限公司, 资讯类别:会员资讯
公司:
深圳恩泽百惠科技有限公司
联系人:
肖先生
手机:
17727587687/17722475089
电话:
075582793395/89532010
传真:
086-0755-89532010
QQ:
2681714552 1565843348 和我即时交谈 和我即时交谈
地址:
福田振兴路华匀大厦1栋701
摘要:原装正品 优势库存 绝对有货 进口芯片

类别 分立半导体产品
晶体管 - FET,MOSFET - 单
制造商 Texas Instruments
系列 NexFET™
包装 ? 带卷(TR) ?
零件状态 在售
FET 类型 N 沟道
技术 MOSFET(金属氧化物)
漏源电压(Vdss) 60V
电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 11A(Ta),50A(Tc)
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On) 6V,10V
不同 Id,Vgs 时的 Rds On(最大值) 13 毫欧 @ 12A、 10V
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) 3.5V @ 250µA
不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)(最大值) 18nC @ 10V
Vgs(最大值) ±20V
不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) 1480pF @ 30V
FET 功能 -
功率耗散(最大值) 3.2W(Ta),75W(Tc)
工作温度 -55°C ~ 150°C(TJ)
安装类型 表面贴装
供应商器件封装 8-VSONP(5x6)
封装/外壳 8-PowerTDFN

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