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Si1147 紫外线 + 临近 + 环境光传感器

时间:2018-11-6,阅读:303,发布企业:商斯达(香港深圳北京上海西安)有限公司, 资讯类别:会员资讯
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商斯达(香港深圳北京上海西安)有限公司
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摘要:Si1147 紫外线 + 临近 + 环境光传感器

零件号描述紫外线指数LED 灯手势/运动感应封装尺寸环境光传感器接口
Si1147紫外线 + 临近 + 环境光传感器33D 手势感应2x2 mmI2C
Si1145紫外线 + 临近 + 环境光传感器1运动感应2x2 mmI2C
Si1142临近 + 环境光传感器22D 手势感应2x2 mmI2C
Si1120-A-GM临近 + 环境光传感器1运动感应3x3 mmPWM
Si1132紫外线指数 + 环境光传感器2x2 mmI2C
Si1146紫外线 + 临近 + 环境光传感器22D 手势感应2x2 mmI2C
Si1143临近 + 环境光传感器33D 手势感应2x2 mmI2C
Si1141临近 + 环境光传感器1运动感应2x2 mmI2C
Si1102-A-GM临近传感器13x3 mm数字开/关
  火焰传感器/紫外线传感器/紫外线光敏管/紫外传感器/火焰探测器

 

日本滨松

UV-R2868

C3704

紫外光敏(电)管 
100%">
 
SSD-601 UV紫外线传感器

 
SSD-601 紫外线传感器 (插件式) .     简介SSD-601 紫外线传感器是一种P-N异质节光电二极管,是基于氮化镓宽禁带半导体材料制备而成的。氮化镓禁带宽度约为3.4电子伏,它不吸收可见光。该类传感器具有很强的可见光抗干扰特性,在检测紫外线时不需附加滤光片来抑制可见光。其检测紫外线的主要响应区域覆盖了长波紫外线 (UVA, 波段范围420 nm-320 nm) 和中波紫外线 (UVB, 波段范围 320 nm-275 nm ) 的波段范围。 
2.     用途:
a.       测试太阳光中的紫外线强度 (礼品、化妆品用具);
b.       紫外线灯管的紫外线发生强度测试 (医疗器械或民用 消毒碗柜的消毒效率检验); 
3.     特点:
a.       对紫外线检测灵敏度高;
b.       感应重复性高;
c.       抗可见光干扰强;
d.       体积微小;
e.       寿命长;
4.     适用人士:长期从事户外工作的专业工程师、爱好旅游的人士、注重皮肤美白的女性以及需要携同出行的婴幼儿; 
5.     传感器参数
 

参数

符号

条件

最小值 

中心值

最大值

单位

光谱带宽变化范围

lb

290

400

nm

峰值灵敏度波长

lp

330

nm

暗光输出电压

Vdark

光强= 100 mW/m2

lp= 330 nm

0

2

mV

灵敏度

Vs

   RL=1MΩ

3.9

4.0 

4.1

mV/UVI

反向击穿电压

VBR

30

40

100

V

正向电压

VF

If=10mA

2.6

3.0 

3.5

V

总电容

Ct

f=1MHz

6

pF

上升时间

tr

RL=1MΩ
CL=1000pF

10

mS

下降时间

tf

500

mS

 
SSD-602 紫外线传感器 
SSD-602 紫外线传感器 (贴片式) 
1.     简介
SSD-602 紫外线传感器是一种P-N异质节光电二极管,是基于氮化镓宽禁带半导体材料制备而成的。氮化镓的禁带宽度约为3.4电子伏,它不吸收可见光。该类传感器具有很强的可见光抗干扰特性,在检测紫外线时不需附加滤光片来抑制可见光。其检测紫外线的主要响应区域覆盖了长波紫外线 (UVA, 波段范围420 nm-320 nm) 和中波紫外线 (UVB, 波段范围 320 nm-275 nm ) 的波段范围。 
2.     用途:
a.       测试太阳光中的紫外线强度 (礼品、化妆品用具);
b.       紫外线灯管的紫外线发生强度测试 (医疗器械或民用 消毒碗柜的消毒效率检验); 
3.     特点:
a.       对紫外线检测灵敏度高;
b.       感应重复性高;
c.       抗可见光干扰强;
d.       体积微小;
e.       寿命长;
4.     适用人士:长期从事户外工作的专业工程师、爱好旅游的人士、注重皮肤美白的女性以及需要携同出行的婴幼儿; 
5.     传感器参数 
 

参数

符号

条件

最小值 

中心值

最大值

单位

光谱带宽变化范围

lb

290

400

nm

峰值灵敏度波长

lp

330

nm

暗光输出电压

Vdark

光强= 100 mW/m2

lp= 330 nm

0

2

mV

灵敏度

Vs

   RL=1MΩ

3.9

4.0 

4.1

mV/UVI

反向击穿电压

VBR

30

40

100

V

正向电压

VF

If=10mA

2.6

3.0 

3.5

V

总电容

Ct

f=1MHz

6

pF

上升时间

tr

RL=1MΩ
CL=1000pF

10

mS

下降时间

tf

500

mS


 
 

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