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SPP04N60C3

时间:2018-11-6,阅读:93,发布企业:品超電子(香港)有限公司, 资讯类别:会员资讯
公司:
品超電子(香港)有限公司
联系人:
刘先生 吴先生 沈小姐
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086-0755-82553223,61351112
传真:
086-0755-61351122
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福田区振华路122号海外装饰大厦A座14A
摘要:MOSFET N-CH 600V 4.5A TO-220

【型号】:SPP04N60C3

【封装】:TO-220

【品牌】: Infineon Technologies

【包装】:500

【品质】:百分百全新原厂原装正品

零件状态不適用於新設計
FET 类型N 沟道
技术MOSFET(金属氧化物)
漏源电压(Vdss)600V
电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时)4.5A(Tc)
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On)10V
不同 Id,Vgs 时的 Rds On(最大值)950 毫欧 @ 2.8A,10V
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值)3.9V @ 200µA
不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)(最大值)25nC @ 10V
Vgs(最大值)±20V
不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值)490pF @ 25V
FET 功能-
功率耗散(最大值)50W(Tc)
工作温度-55°C ~ 150°C(TJ)
安装类型通孔
供应商器件封装PG-TO-220-3
封装/外壳TO-220-3​

 

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