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TPS22929DDBVR

时间:2018-11-6,阅读:107,发布企业:瑞利诚科技(深圳)有限公司, 资讯类别:会员资讯
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摘要:TPS22929D 是一款具有受控接通功能的小型、超低 rON 负载开关。此器件包括一个 P 沟道金属氧化物半导体场效应晶体管 (MOSFET),可在 1.4V 至 5.5V 的输入电压范围内运行

描述

TPS22929D 是一款具有受控接通功能的小型、超低 rON 负载开关。此器件包括一个 P 沟道金属氧化物半导体场效应晶体管 (MOSFET),可在 1.4V 至 5.5V 的输入电压范围内运行。此开关由一个开/关输入 (ON) 控制,此输入能够与低电压控制信号直接相连。TPS22929D 为高电平有效。

品牌:TI

型号;TPS22929DDBVR

封装:SC-70

包装:3000

年份:18+

产地:MY

数量:33000

瑞利诚科技(深圳)有限公司

联系人:何小姐

电话:83253832

qq:3007215867


TPS22929D 包含一个 150Ω 片上负载电阻器,用于在此开关被关闭时进行快速输出放电。此器件的上升时间受到内部控制以避免浪涌电流。


在出现反向电压时,TPS22929D 器件通过闭锁电源开关来提供断路器功能。当输出电压 (VOUT) 被驱动至高于输入 (VIN) 时,内部反向电压比较器会关闭此电源开关以快速(典型值为 10μs)阻止流向此开关输入一侧的电流。反向电流一直有效,甚至当电源开关关闭的时候也是如此。此外,如果此输入电压过低,欠压闭锁(UVLO)保护会将此开关关闭。

TPS22929D 采用节省空间的小型 6 引脚 SOT23 封装,自然通风条件下的额定工作温度范围为 –40°C 至 85°C。


特性

集成单负载开关

小型 SOT23-6 封装

输入电压范围:1.4V 至 5.5V

低导通电阻

在 VIN = 5V 时,r导ON = 115mΩ

在 VIN = 3.3V 时,rON = 115mΩ

在 VIN = 2.5V 时,rON = 118mΩ

在 VIN = 1.5V 时,rON = 129mΩ

1.8A 连续开关电流 (25°C)

低阈值控制输入

受控转换率

欠压闭锁

快速输出放电

反向电流保护

应用

便携式工业设备

便携式医疗设备

便携式媒体播放器

销售点终端

全球卫星定位 (GPS) 设备

数码摄像机

便携式仪表

智能电话

TPS22929D是一款单通道,1.8 A负载开关,采用小巧,节省空间的6引脚SOT23-6封装。 这个器件采用低阻P沟道MOSFET,具有可控的上升时间,适用于需要的应用

限制浪涌电流。

该器件还设计为在关断状态下具有非常低的漏电流。 这可以防止下游电路

从电源拉出高待机电流。 集成控制逻辑,驱动器,电源和输出

放电FET消除了对额外外部元件的需求,从而减少了解决方案的尺寸和数量

材料(BOM)数量。

9.3.1开/关控制

ON引脚控制开关的状态。断言ON为高电平使能开关。 ON是活跃的高,有一个

低阈值,使其能够与低压信号接口。 ON引脚与标准兼容

GPIO逻辑阈值。它可以与任何具有1.2V,1.8V,2.5V或3.3V GPIO的微控制器一起使用。

9.3.2输出下拉

当用户关闭主传输FET时,输出下拉有效。下拉放电

输出轨到轨的大约10%,然后输出下拉自动断开

优化关机电流。

9.3.3欠压锁定

如果输入电压低于欠压锁定,则欠压锁定将关闭开关

阈。在欠压锁定(UVLO)期间,如果VOUT的电压电平超过VIN的电压电平

反向电流电压阈值(VRVP),体二极管将脱离,以防止任何电流流过

VIN。当ON引脚有效时,输入电压上升到低于欠压锁定阈值将导致a

控制开关的开启,限制电流过冲。

在VOUT大于VIN的情况下,有可能通过传输FET或者反向电流

体二极管。 TPS22929D监控VIN和VOUT电压。 当反向电流电压阈值

超过(VRVP),开关被禁用(典型值在10μs内)。 另外,体二极管脱离

防止任何反向电流流向VIN。 FET和输出(VOUT)将在恢复正常工作时

反向电压情况不再存在。

使用以下公式计算激活保护电路所需的反向电流量

特定的应用:

IRC是反向电流量,

RON(VIN)是由输入电压决定的导通电阻。

器件的VIN至VOUT电压降由器件的RON和负载电流决定。该

器件的RON取决于器件的VIN条件。请参阅设备的RON规范

本数据表的电气特性表。一旦基于该设备确定设备的RON

VIN条件,使用公式1计算VIN至VOUT电压降:

ΔV= ILOAD×RON(1)

ΔV=从VIN到VOUT的电压降

ILOAD =负载电流

RON =器件对特定VIN的导通电阻

必须选择适当的ILOAD,以便不违反设备的IMAX规范。

10.1.2输入电容器

为了限制由瞬态浪涌电流引起的输入电源电压降,当开关导通时

放电负载电容或短路,需要在VIN和GND之间放置一个电容。 1μF陶瓷

靠近引脚放置的电容CIN通常就足够了。较高的CIN值可用于进一步降低

电压降。

10.1.3输出电容器CIN到CL

建议将比率设置为10比1,以最大限度地减少启动期间由浪涌电流引起的VIN下降


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