AOS万代AON6403原装正品 价格更有优势

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MOSFET

aos pioneered the Fab -建兴电力MOSFET模型在沟槽边场，发展主导产品exclusively that are of the manufactured分-在这里-第8英寸。先进的包装设计和专有的过程是在硅aos' S是当时美国总部和生产制造与ITS模型非常高效。我们的产品组合covers 6V的MOSFET和600V 1000V，1200V的IGBT的，和1350v 650V，。

描述

AON6403组合先进的沟槽MOSFET

提供低电阻封装的技术

极低的RDS（ON）。该装置适用于负荷开关。

以及电池保护应用。

产品摘要

VDS -30V ID (at VGS= -10V) -85A RDS(ON) (at VGS= -10V) < 3.1mΩ RDS(ON) (at VGS = -4.5V) < 4.3mΩ100% UIS Tested100% Rg Tested

深圳市宇集芯电子有限公司

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