IPP100N08N3 G MOS管

IPP100N08N3 G MOS管一级代理进口原装现货、尽在-宇集芯电子

制造商: Infineon

产品种类: MOSFET

RoHS:  详细信息  

技术: Si

安装风格: Through Hole

封装 / 箱体: TO-220-3

通道数量: 1 Channel

晶体管极性: N-Channel

Vds-漏源极击穿电压: 80 V

Id-连续漏极电流: 70 A

Rds On-漏源导通电阻: 8.4 mOhms

Vgs th-栅源极阈值电压: 2 V

Vgs - 栅极-源极电压: 20 V

Qg-栅极电荷: 35 nC

最小工作温度: - 55 C

最大工作温度: + 175 C

配置: Single

Pd-功率耗散: 100 W

通道模式: Enhancement

商标名: OptiMOS

封装: Tube

高度: 15.65 mm  

长度: 10 mm  

系列: OptiMOS 3  

晶体管类型: 1 N-Channel  

宽度: 4.4 mm  

商标: Infineon Technologies  

正向跨导 - 最小值: 30 S  

CNHTS: 8541290000  

下降时间: 5 ns  

HTS Code: 8541290095  

MXHTS: 85412999  

产品类型: MOSFET  

上升时间: 46 ns  

工厂包装数量: 500  

子类别: MOSFETs  

TARIC: 8541290000  

典型关闭延迟时间: 22 ns  

典型接通延迟时间: 14 ns  

零件号别名: IPP100N08N3GXKSA1 IPP1N8N3GXK SP000680856  

单位重量: 6 g

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